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    行业应用
    阈值电压
    2.6V@1mA 1.8V@1mA 2.4V@1mA 2.2V@1mA 800mV@1mA 400mV@1mA 1V@1mA 3.5V@1mA 4V@1mA 5V@4mA 2.5V@1mA 2.8V@1mA 2.3V@1mA 2.15V@1mA 3V@1mA 3.9V@1mA 4.5V@1.7mA 2V@1mA 4.5V@1.2mA 1.5V@250mA 1.5V@1mA 5.25V@1mA 4.5V@1mA 3.6V@1mA 4V@3.9mA 570mV@1mA 2.4V@10mA 2V@2mA 1.6V@1mA 2V@10mA 1V@250A 4V@2.1mA 700mV@1mA 4V@2.8mA 2V@250mA 4.5V@1.3mA 4.5V@4.4mA 5V@3mA 3.5V@3mA 4V@2mA 950mV@1mA 3.3V@20µA 3.5V@310µA 2.25V@250µA 3.5V@260µA 3.5V@170µA 1.2V@250µA 3.8V@22µA 2.2V@35µA 4V@85µA 3.7V@150µA 3.9V@150µA 3V@250µA 2.8V@50µA 3.5V@80µA 5V@100µA 3.5V@140µA 3.9V@120µA 5V@430µA 1.06V@250µA 3.8V@49µA 3.5V@75µA 3.5V@280µA 1.2V@200µA 2.8V@120µA 1.1V@50µA 4V@140µA 3.5V@40µA 2.3V@36µA 2.7V@250µA 3.3V@36µA 1V@250µA 2.25V@25µA 2.35V@25µA 2.9V@250µA 1.8V@50µA 2.3V@49µA 2.7V@12µA 750mV@30µA 4.6V@107µA 4V@260µA 2.35V@250µA 2V@2.7µA 4V@100µA 1.9V@250µA 3.8V@91µA 1.1V@5µA 3.2V@250µA 1V@50µA 4V@150µA 1.1V@250µA 1.8V@13µA 3.5V@100µA 3.5V@130µA 3.5V@220µA 3.8V@115µA 2.3V@25µA 4V@27µA 3.5V@320µA 1.2V@3.7µA 3.5V@350µA 4V@280µA 3.8V@36µA 3.5V@20µA 4V@800µA 2.6V@8µA 1V@400µA 1.8V@108µA 4V@13µA 2.3V@115µA 2V@250µA 4V@250µA 3.8V@110µA 4.5V@200µA 4.5V@50µA 3.3V@50µA 1.6V@250µA 4V@240µA 3.9V@100µA 2V@23µA 2.35V@100µA 1.25V@250µA 3.5V@250µA 1.2V@50µA 5V@250µA 950mV@250µA 4.5V@750µA 1.8V@26µA 2.4V@250µA 3.3V@14µA 900mV@250µA 2.2V@250µA 850mV@250µA 2V@11µA 2.4V@26µA 2.3V@20µA 3.5V@790µA 800mV@250µA 4V@70µA 2.6V@250µA 4.9V@100µA 4.5V@340µA 1.4V@108µA 2V@49µA 2.3V@250µA 4V@60µA 1.55V@250µA 1V@56µA 4V@23µA 2.2V@93µA 1.5V@100µA 2.5V@25µA 4V@93µA 3.5V@210µA 4.5V@400µA 4V@90µA 3.5V@440µA 2V@14µA 4.5V@470µA 1.4V@250µA 1V@100µA 2.35V@150µA 4.5V@250µA 3.5V@150µA 4V@490µA 700mV@250µA 4V@35µA 3.5V@30µA 2.5V@250µA 4V@120µA 1V@108µA 1.8V@218µA 1.4V@26µA 3.5V@660µA 4V@190µA 4.5V@80µA 3.5V@33µA 3.5V@90µA 750mV@3.7µA 1V@94µA 3.5V@70µA 3.8V@50µA 3.5V@200µA 3.5V@110µA 4V@290µA 4.5V@180µA 2.5V@150µA 3.9V@350µA 5V@150µA 1.1V@100µA 2V@30µA 3.4V@250µA 2.35V@50µA 3.5V@360µA 1.2V@11µA 4V@45µA 5.5V@250µA 3.5V@12µA 1.5V@250µA 3.9V@240µA 4.5V@900µA 3.5V@430µA 1.3V@250µA 2.8V@95µA 3.3V@250µA 1.8V@400µA 2.1V@250µA 2.3V@15µA 4V@590µA 2.8V@250µA 4V@50µA 2.3V@94µA 4.4V@250µA 4.5V@1.24mA 1.1V@10µA 2V@27µA 4.5V@240µA 1.6V@8µA 3.8V@95µA 1.8V@250µA 2.8V@36µA 2V@50µA 3.9V@250µA 4.5V@140µA 3.8V@250µA 3.5V@340µA 4V@440µA 3.5V@50µA 3.8V@72µA 2.2V@23µA 4.5V@1.25mA 3.6V@2.33mA 4V@310µA 2.3V@23µA 5V@860µA 1.65V@250µA 2.3V@29µA 1.7V@250µA 4V@700µA 2.2V@50µA 2.8V@500µA 4V@1.44mA 2.4V@112µA 4.5V@1.8mA 3.5V@73µA 4V@110µA 3.7V@50µA 4V@30µA 3.9V@500µA 3.5V@1.1mA 4.6V@91µA 4V@20µA 4.8V@700µA 2.4V@43µA 2.45V@250µA 4V@650µA 4V@42µA 2V@120µA 4.5V@760µA 4.5V@600µA 2V@45µA 2.5V@120µA 4V@540µA 2.2V@150µA 2.3V@13µA 2V@36µA 3.5V@5mA 4V@1.25mA 2.4V@110µA 2.3V@92µA 4.5V@3.08mA 2.3V@18µA 4.6V@32µA 2.5V@20µA 4.5V@480µA 5V@740µA 4.5V@700µA 3.9V@135µA 4V@370A 4.5V@320µA 1.45V@250µA 2V@40µA 4.5V@570µA 4V@1.24mA 4.5V@194µA 4.5V@300µA 2.3V@61µA 2V@130µA 2.5V@210µA 4V@390µA 4V@410µA 3V@750µA 3.6V@250µA 3.5V@700µA 4.5V@70µA 2.3V@14µA 4V@250mA 4.5V@1.44mA 4.5V@790µA 1.8V@100µA 3.8V@41µA 3V@85µA 4.8V@4.6mA 750mV@11µA 3.9V@200µA 4V@370µA 3.3V@41µA 3.5V@45µA 3.5V@1.25mA 4.6V@60µA 5V@540µA 4.1V@150µA 3V@77µA 2V@85µA 2V@1.448mA 4V@320µA 2.1V@33µA 2.4V@72µA 4.9V@255µA 2.5V@12.2mA 3.5V@400µA 4.8V@500µA 1.05V@250µA 3.5V@960µA 4V@25µA 4V@78µA 4.1V@250µA 4V@32µA 2V@3.7µA 4V@380µA 3.8V@67µA 4.1V@270µA 2.35V@10µA 2.5V@130µA 2V@700µA 2.3V@28µA 5.5V@80µA 1.35V@2.5µA 2.3V@40µA 3.8V@180µA 1.1V@150µA 3V@90µA 2V@1.6µA 1.95V@250µA 2V@934µA 1.8V@56µA 4.5V@162µA 950mV@3.7µA 4V@218µA 4V@43µA 3.9V@80µA 1.9V@100µA
    栅极电荷
    4.6nC@10V 42nC@10V 104nC@10V 4.2nC@4.5V 1.15nC@5V 33nC@10V 5.9nC@10V 3.4nC@4.5V 26.7nC@10V 19.4nC@10V 5.5nC@10V 8.1nC@4.5V 14.5nC@10V 6.7nC@4.5V 14.3nC@10V 17nC@5V 47nC@8V 10.5nC@10V 3.8nC@4.5V 2.8nC@4.5V 26nC@10V 39nC@10V 90nC@10V 15.8nC@4.5V 20nC@4.5V 3nC@4.5V 116.1nC@10V 19.5nC@10V 31nC@5V 15.3nC@10V 8.6nC@10V 9.4nC@10V 12nC@10V 38nC@10V 10.5nC@5V 79nC@10V 2.7nC@4.5V 33.3nC@10V 1.8nC@10V 13nC@10V 13nC@5V 25.2nC@10V 4.5nC@10V 22nC@10V 130nC@10V 16.1nC@10V 25.1nC@10V 8.1nC@5V 15.6nC@4.5V 17.1nC@10V 31nC@10V 49.4nC@10V 125nC@10V 30nC@10V 170nC@10V 40nC@10V 118nC@10V 13nC@4.5V 4.1nC@4.5V 95nC@10V 28nC@4.5V 5.2nC@4.5V 8.5nC@10V 13.7nC@10V 20nC@15V 22.6nC@10V 9.6nC@4.5V 108nC@10V 6.5nC@5V 8.3nC@4.5V 54nC@6V 95.4nC@10V 30nC@4.5V 8.3nC@10V 6.5nC@4.5V 9.7nC@10V 7nC@10V 5.1nC@4.5V 8.8nC@4.5V 7.7nC@10V 83nC@10V 7.04nC@1.5V 9nC@10V 8.7nC@10V 15.6nC@10V 3.2nC@4.5V 14nC@4.5V 50.6nC@8V 154nC@10V 21nC@4.5V 41.3nC@10V 18.7nC@10V 13.5nC@10V 16nC@5V 19nC@4.5V 11.6nC@4.5V 12.7nC@10V 5.9nC@5V 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    连续漏极电流
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67A€100A 16A€55.6A 27A€85A 36A€85A 23.5A€100A 3.5A€25A 18.8A€24A
    类型: N沟道
    ECCN: EAR99
    工作温度: -55℃~150℃
    包装方式: 卷带(TR)
    当前匹配商品:3.0万+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    数量/起订
    操作
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ370UNEYL 起订7个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ370UNEYL 起订7个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ370UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW€2.7W

    阈值电压:1.05V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:78pF@25V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:490mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC160N15NS5SCATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC160N15NS5SCATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC160N15NS5SCATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:4.6V@60µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1820pF@75V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@28A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ035N03LSGATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ035N03LSGATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ035N03LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4400pF@15V

    连续漏极电流:20A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB95R130PFD7ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB95R130PFD7ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB95R130PFD7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:3.5V@1.25mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:141nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4170pF@400V

    连续漏极电流:36.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@25.1A,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT250N65S3 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT250N65S3 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT250N65S3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:90W

    阈值电压:4.5V@1.2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1010pF@400V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC120N03LSGATMA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC120N03LSGATMA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC120N03LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€28W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@15V

    连续漏极电流:12A€39A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF830ASTRLPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF830ASTRLPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF830ASTRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@3A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020LSN-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020LSN-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2020LSN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:610mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1149pF@10V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 TN2504N8-G 起订2个装
    Microchip Mosfet场效应管 TN2504N8-G 起订2个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TN2504N8-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:125pF@20V

    连续漏极电流:890mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@1.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R028G7XTMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R028G7XTMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT60R028G7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:391W

    阈值电压:4V@1.44mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:123nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4820pF@400V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@28.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7806ADN-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7806ADN-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7806ADN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC007N08LC 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC007N08LC 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC007N08LC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.5V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2940pF@40V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@21A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2306CX RFG 起订3个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2306CX RFG 起订3个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2306CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5BT 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5BT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16570Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14000pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.59mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC009NE2LS5ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC009NE2LS5ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC009NE2LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€74W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@12V

    连续漏极电流:41A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD600N65S3R0 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD600N65S3R0 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD600N65S3R0

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54W

    阈值电压:4.5V@600µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:465pF@400V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4405NT1G 起订2980个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4405NT1G 起订2980个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"05+":42,"23+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJS4405NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:630mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0906NSATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0906NSATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0906NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€30W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:870pF@15V

    连续漏极电流:18A€63A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800150DC 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800150DC 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT800150DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8205pF@75V

    连续漏极电流:15A€99A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456CDP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456CDP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7456CDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€35.7W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:730pF@50V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC120N03LSGATMA1 起订1961个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC120N03LSGATMA1 起订1961个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":50000,"MI+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC120N03LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€28W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@15V

    连续漏极电流:12A€39A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR872ADP-T1-RE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR872ADP-T1-RE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR872ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1286pF@75V

    连续漏极电流:53.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8812DB-T2-E1 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8812DB-T2-E1 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8812DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6290 起订3000个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6290 起订3000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6290

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.3W€208W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@50V

    连续漏极电流:28A€85A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC655BN 起订3000个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC655BN 起订3000个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC655BN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR5802DP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR5802DP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR5802DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3020pF@40V

    连续漏极电流:33.6A€137.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCB070N65S3 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCB070N65S3 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCB070N65S3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:312W

    阈值电压:4.5V@4.4mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3090pF@400V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@22A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC031N06NS3GATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC031N06NS3GATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC031N06NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€139W

    阈值电压:4V@93µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11000pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS0310AS 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS0310AS 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS0310AS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€41W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2280pF@15V

    连续漏极电流:19A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC032NE2LSATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC032NE2LSATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC032NE2LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€78W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@12V

    连续漏极电流:22A€84A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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