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    类型: N沟道
    ECCN: EAR99
    工作温度: -55℃~150℃
    包装方式: 卷带(TR)
    阈值电压: 1.2V@250µA
    当前匹配商品:200+
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    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7400_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:447pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7400_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:447pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7400_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:447pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7400_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:447pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3412-AU_R1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3412-AU_R1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3412-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@4.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3402_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3402_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3402_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:447pF@15V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:48mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058UW-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058UW-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2058UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:281pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@3A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3134NT5G 起订9个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3134NT5G 起订9个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3134NT5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@16V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@890mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7400_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:447pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7400_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:447pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7400_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:447pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7400_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:447pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7400_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:447pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7400_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:447pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7400_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:447pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3412-AU_R1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3412-AU_R1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3412-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@4.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3412-AU_R1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3412-AU_R1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3412-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@4.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001 起订6000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001 起订6000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7400_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:447pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3412-AU_R1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3412-AU_R1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3412-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@4.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3402_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3402_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3402_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:447pF@15V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:48mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3402_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3402_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3402_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:447pF@15V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:48mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3412-AU_R1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3412-AU_R1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3412-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@4.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7400_R1_00001

    阈值电压:1.2V@250µA

    功率:350mW

    连续漏极电流:1.9A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:447pF@15V

    栅极电荷:4.8nC@10V

    导通电阻:70mΩ@1.9A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7400_R1_00001

    阈值电压:1.2V@250µA

    功率:350mW

    连续漏极电流:1.9A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:447pF@15V

    栅极电荷:4.8nC@10V

    导通电阻:70mΩ@1.9A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7400_R1_00001

    阈值电压:1.2V@250µA

    功率:350mW

    连续漏极电流:1.9A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:447pF@15V

    栅极电荷:4.8nC@10V

    导通电阻:70mΩ@1.9A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009USS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009USS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2009USS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1706pF@10V

    连续漏极电流:12.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@12A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009USS-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009USS-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2009USS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1706pF@10V

    连续漏极电流:12.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@12A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2005UFG-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2005UFG-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2005UFG-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.05W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:164nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6495pF@10V

    连续漏极电流:18.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@13.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN25D0UFA-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMN25D0UFA-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN25D0UFA-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.36nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:27.9pF@10V

    连续漏极电流:240mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@400mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML2502TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML2502TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1831,"23+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML2502TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:740pF@15V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
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