品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):25psc
规格型号(MPN):IRFP264PBF
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:5400pF@25V
漏源电压:250V
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:75mΩ@23A,10V
连续漏极电流:38A
功率:280W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS92DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:3.4A€12.3A
类型:N沟道
漏源电压:250V
输入电容:350pF@125V
导通电阻:173mΩ@3.6A,10V
栅极电荷:16nC@10V
阈值电压:4V@250µA
功率:5.1W€65.8W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF644PBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:250V
栅极电荷:68nC@10V
导通电阻:280mΩ@8.4A,10V
功率:125W
包装方式:管件
连续漏极电流:14A
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:1300pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR692DP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
类型:N沟道
栅极电荷:30nC@7.5V
输入电容:1405pF@125V
连续漏极电流:24.2A
漏源电压:250V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:63mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRF644PBF
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:250V
栅极电荷:68nC@10V
导通电阻:280mΩ@8.4A,10V
功率:125W
包装方式:管件
连续漏极电流:14A
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1300pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):25psc
规格型号(MPN):IRFP244PBF
导通电阻:280mΩ@9A,10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1400pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:250V
功率:150W
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
连续漏极电流:15A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR214TRPBF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:140pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:250V
栅极电荷:8.2nC@10V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:2.2A
导通电阻:2Ω@1.3A,10V
ECCN:EAR99
功率:2.5W€25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRF644SPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€125W
类型:N沟道
漏源电压:250V
栅极电荷:68nC@10V
导通电阻:280mΩ@8.4A,10V
包装方式:管件
连续漏极电流:14A
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1300pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4434ADY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:150mΩ@2.8A,10V
功率:2.9W€6W
类型:N沟道
漏源电压:250V
连续漏极电流:2.8A€4.1A
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
输入电容:600pF@125V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR224PBF
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:14nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:250V
功率:2.5W€42W
连续漏极电流:3.8A
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
输入电容:260pF@25V
导通电阻:1.1Ω@2.3A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR692DP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
类型:N沟道
栅极电荷:30nC@7.5V
输入电容:1405pF@125V
连续漏极电流:24.2A
漏源电压:250V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:63mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7190ADP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:250V
功率:5W€56.8W
栅极电荷:22.4nC@10V
输入电容:860pF@100V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:102mΩ@4.3A,10V
连续漏极电流:4.3A€14.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRF644SPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€125W
类型:N沟道
漏源电压:250V
栅极电荷:68nC@10V
导通电阻:280mΩ@8.4A,10V
包装方式:管件
连续漏极电流:14A
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1300pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR224PBF
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:14nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:250V
功率:2.5W€42W
连续漏极电流:3.8A
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
输入电容:260pF@25V
导通电阻:1.1Ω@2.3A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):IRF644STRRPBF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€125W
类型:N沟道
漏源电压:250V
栅极电荷:68nC@10V
导通电阻:280mΩ@8.4A,10V
连续漏极电流:14A
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:1300pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7434ADP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:150mΩ@3.7A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:250V
功率:5W€54.3W
连续漏极电流:3.7A€12.3A
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
输入电容:600pF@125V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR224PBF
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:14nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:250V
功率:2.5W€42W
连续漏极电流:3.8A
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
输入电容:260pF@25V
导通电阻:1.1Ω@2.3A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD17NF25
连续漏极电流:17A
导通电阻:165mΩ@8.5A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:29.5nC@10V
漏源电压:250V
输入电容:1000pF@25V
功率:90W
阈值电压:4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS92DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:3.4A€12.3A
类型:N沟道
漏源电压:250V
输入电容:350pF@125V
导通电阻:173mΩ@3.6A,10V
栅极电荷:16nC@10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
功率:5.1W€65.8W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):25psc
规格型号(MPN):IRFP264PBF
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:5400pF@25V
漏源电压:250V
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:75mΩ@23A,10V
连续漏极电流:38A
功率:280W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL214TRPBF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:2Ω@470mA,10V
输入电容:140pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:250V
栅极电荷:8.2nC@10V
阈值电压:4V@250µA
功率:2W€3.1W
连续漏极电流:790mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRF644SPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€125W
类型:N沟道
漏源电压:250V
栅极电荷:68nC@10V
导通电阻:280mΩ@8.4A,10V
包装方式:管件
连续漏极电流:14A
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:1300pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR692DP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
类型:N沟道
栅极电荷:30nC@7.5V
输入电容:1405pF@125V
连续漏极电流:24.2A
漏源电压:250V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:63mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRFI644GPBF
导通电阻:280mΩ@4.7A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
类型:N沟道
漏源电压:250V
栅极电荷:68nC@10V
连续漏极电流:7.9A
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1300pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):25psc
规格型号(MPN):IRFP244PBF
导通电阻:280mΩ@9A,10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1400pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:250V
功率:150W
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
连续漏极电流:15A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR224PBF
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:14nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:250V
功率:2.5W€42W
连续漏极电流:3.8A
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
输入电容:260pF@25V
导通电阻:1.1Ω@2.3A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL214TRPBF-BE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:2Ω@470mA,10V
输入电容:140pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:250V
栅极电荷:8.2nC@10V
阈值电压:4V@250µA
功率:2W€3.1W
连续漏极电流:790mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7190ADP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:250V
功率:5W€56.8W
栅极电荷:22.4nC@10V
输入电容:860pF@100V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:102mΩ@4.3A,10V
连续漏极电流:4.3A€14.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4434ADY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:150mΩ@2.8A,10V
功率:2.9W€6W
类型:N沟道
漏源电压:250V
连续漏极电流:2.8A€4.1A
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
输入电容:600pF@125V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS92DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:3.4A€12.3A
类型:N沟道
漏源电压:250V
输入电容:350pF@125V
导通电阻:173mΩ@3.6A,10V
栅极电荷:16nC@10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
功率:5.1W€65.8W
包装清单:商品主体 * 1
库存: