品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R045CFD7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:270W
阈值电压:4.5V@900µA
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3194pF@400V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC080N12LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:2.4V@112µA
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7400pF@60V
连续漏极电流:12A€99A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@50A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2103
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7413TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@7.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R045CFD7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:270W
阈值电压:4.5V@900µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3194pF@400V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC080N12LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:2.4V@112µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7400pF@60V
连续漏极电流:12A€99A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@50A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS4D3N15MC
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€292W
阈值电压:4.5V@521µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6514pF@75V
连续漏极电流:21A€165A
类型:N沟道
导通电阻:4.45mΩ@95A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y2R5-40HX
工作温度:-55℃~175℃
功率:190W
阈值电压:3.6V@1mA
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4790pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC080N12LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:2.4V@112µA
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7400pF@60V
连续漏极电流:12A€99A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@50A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7413TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@7.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDD60R045CFD7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:379W
阈值电压:4.5V@900µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3194pF@400V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y2R5-40HX
工作温度:-55℃~175℃
功率:190W
阈值电压:3.6V@1mA
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4790pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC080N12LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:2.4V@112µA
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7400pF@60V
连续漏极电流:12A€99A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@50A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R045CFD7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:270W
阈值电压:4.5V@900µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3194pF@400V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTSC4D3N15MC
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€293W
阈值电压:4.5V@521µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6514pF@75V
连续漏极电流:22A€174A
类型:N沟道
导通电阻:4.45mΩ@95A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTSC4D3N15MC
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€292W
阈值电压:4.5V@521µA
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6514pF@75V
连续漏极电流:23A€165A
类型:N沟道
导通电阻:4.45mΩ@95A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL082N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3330pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":550,"18+":1700,"21+":1946,"23+":6000,"9999":721}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK753R1-40E,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:234W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6200pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS4D3N15MC
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€292W
阈值电压:4.5V@521µA
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6514pF@75V
连续漏极电流:21A€165A
类型:N沟道
导通电阻:4.45mΩ@95A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":335}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS4D3N15MC
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€293W
阈值电压:4.5V@521µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6514pF@75V
连续漏极电流:22A€174A
类型:N沟道
导通电阻:4.45mΩ@95A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL082N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3330pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTSC4D3N15MC
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€293W
阈值电压:4.5V@521µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6514pF@75V
连续漏极电流:22A€174A
类型:N沟道
导通电阻:4.45mΩ@95A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7413TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@7.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1188,"23+":1199}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTSC4D3N15MC
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€292W
阈值电压:4.5V@521µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6514pF@75V
连续漏极电流:23A€165A
类型:N沟道
导通电阻:4.45mΩ@95A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTSC4D3N15MC
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€292W
阈值电压:4.5V@521µA
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6514pF@75V
连续漏极电流:23A€165A
类型:N沟道
导通电阻:4.45mΩ@95A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC080N12LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:2.4V@112µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7400pF@60V
连续漏极电流:12A€99A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@50A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R060CFD7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:219W
阈值电压:4.5V@900µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3193pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R060CFD7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:219W
阈值电压:4.5V@900µA
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3193pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDD60R045CFD7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:379W
阈值电压:4.5V@900µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3194pF@400V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":1000,"18+":5000,"9999":221}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7E3R1-40E,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:234W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6200pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC080N12LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:2.4V@112µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7400pF@60V
连续漏极电流:12A€99A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@50A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存: