采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS4D3N15MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€292W
阈值电压：4.5V@521µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6514pF@75V
连续漏极电流：21A€165A
类型：N沟道
导通电阻：4.45mΩ@95A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y2R5-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4790pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y2R5-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4790pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTSC4D3N15MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€293W
阈值电压：4.5V@521µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6514pF@75V
连续漏极电流：22A€174A
类型：N沟道
导通电阻：4.45mΩ@95A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTSC4D3N15MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€292W
阈值电压：4.5V@521µA
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6514pF@75V
连续漏极电流：23A€165A
类型：N沟道
导通电阻：4.45mΩ@95A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：550，"18+"：1700，"21+"：1946，"23+"：6000，"9999"：721}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK753R1-40E，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：234W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6200pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS4D3N15MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€292W
阈值电压：4.5V@521µA
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6514pF@75V
连续漏极电流：21A€165A
类型：N沟道
导通电阻：4.45mΩ@95A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：335}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS4D3N15MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€293W
阈值电压：4.5V@521µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6514pF@75V
连续漏极电流：22A€174A
类型：N沟道
导通电阻：4.45mΩ@95A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTSC4D3N15MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€293W
阈值电压：4.5V@521µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6514pF@75V
连续漏极电流：22A€174A
类型：N沟道
导通电阻：4.45mΩ@95A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1188，"23+"：1199}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTSC4D3N15MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€292W
阈值电压：4.5V@521µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6514pF@75V
连续漏极电流：23A€165A
类型：N沟道
导通电阻：4.45mΩ@95A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTSC4D3N15MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€292W
阈值电压：4.5V@521µA
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6514pF@75V
连续漏极电流：23A€165A
类型：N沟道
导通电阻：4.45mΩ@95A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：1000，"18+"：5000，"9999"：221}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7E3R1-40E，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：234W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6200pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS4D3N15MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€293W
阈值电压：4.5V@521µA
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6514pF@75V
连续漏极电流：22A€174A
类型：N沟道
导通电阻：4.45mΩ@95A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS4D3N15MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€292W
阈值电压：4.5V@521µA
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6514pF@75V
连续漏极电流：21A€165A
类型：N沟道
导通电阻：4.45mΩ@95A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTSC4D3N15MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€292W
阈值电压：4.5V@521µA
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6514pF@75V
连续漏极电流：23A€165A
类型：N沟道
导通电阻：4.45mΩ@95A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTSC4D3N15MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€292W
阈值电压：4.5V@521µA
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6514pF@75V
连续漏极电流：23A€165A
类型：N沟道
导通电阻：4.45mΩ@95A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：550，"18+"：1700，"21+"：1946，"23+"：6000，"9999"：721}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK753R1-40E，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：234W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6200pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTSC4D3N15MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€292W
阈值电压：4.5V@521µA
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6514pF@75V
连续漏极电流：23A€165A
类型：N沟道
导通电阻：4.45mΩ@95A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS4D3N15MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€293W
阈值电压：4.5V@521µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6514pF@75V
连续漏极电流：22A€174A
类型：N沟道
导通电阻：4.45mΩ@95A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS4D3N15MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€293W
阈值电压：4.5V@521µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6514pF@75V
连续漏极电流：22A€174A
类型：N沟道
导通电阻：4.45mΩ@95A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS4D3N15MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€293W
阈值电压：4.5V@521µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6514pF@75V
连续漏极电流：22A€174A
类型：N沟道
导通电阻：4.45mΩ@95A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS4D3N15MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€293W
阈值电压：4.5V@521µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6514pF@75V
连续漏极电流：22A€174A
类型：N沟道
导通电阻：4.45mΩ@95A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTSC4D3N15MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€293W
阈值电压：4.5V@521µA
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6514pF@75V
连续漏极电流：22A€174A
类型：N沟道
导通电阻：4.45mΩ@95A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y2R5-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4790pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS4D3N15MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€292W
阈值电压：4.5V@521µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6514pF@75V
连续漏极电流：21A€165A
类型：N沟道
导通电阻：4.45mΩ@95A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y2R5-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4790pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS4D3N15MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€292W
阈值电压：4.5V@521µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6514pF@75V
连续漏极电流：21A€165A
类型：N沟道
导通电阻：4.45mΩ@95A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK762R9-40E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：234W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6200pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：1000，"18+"：5000，"9999"：221}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7E3R1-40E，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：234W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6200pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS4D3N15MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€292W
阈值电压：4.5V@521µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6514pF@75V
连续漏极电流：21A€165A
类型：N沟道
导通电阻：4.45mΩ@95A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
