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    栅极电荷
    行业应用
    类型: N沟道
    栅极电荷: 17nC@10V
    当前匹配商品:1300+
    商品信息
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    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S5L7R4ATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S5L7R4ATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPZ40N04S5L7R4ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:34W

    阈值电压:2V@10µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6017LSS-13 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6017LSS-13 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6017LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA462DJ-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA462DJ-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA462DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0904NSIATMA1 起订1267个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0904NSIATMA1 起订1267个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":260,"22+":10000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0904NSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€37W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:20A€78A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ100N03LSGATMA1 起订1221个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ100N03LSGATMA1 起订1221个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":3121}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ100N03LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€30W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@15V

    连续漏极电流:12A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF820ASPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF820ASPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF820ASPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:340pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN20ENAX 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN20ENAX 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN20ENAX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:652mW€7.5W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:582pF@20V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@6.2A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6017LSS-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6017LSS-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6017LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL50N6F7 起订4个装
    ST Mosfet场效应管 STL50N6F7 起订4个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL50N6F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1035pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0909NSATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0909NSATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ0909NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€25W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@15V

    连续漏极电流:9A€36A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@20A,10V

    漏源电压:34V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0909NSATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0909NSATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ0909NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€25W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@15V

    连续漏极电流:9A€36A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@20A,10V

    漏源电压:34V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD03N60C3ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD03N60C3ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD03N60C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:3.9V@135µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0909NSATMA1 起订7个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0909NSATMA1 起订7个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ0909NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€25W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@15V

    连续漏极电流:9A€36A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@20A,10V

    漏源电压:34V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6017LSS-13 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6017LSS-13 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6017LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9D23-40EX 起订8个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9D23-40EX 起订8个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9D23-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:15W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:637pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF680N10T 起订534个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF680N10T 起订534个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF680N10T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:24W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1000pF@50V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD03N60C3ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD03N60C3ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD03N60C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:3.9V@135µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD23N06-31-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD23N06-31-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD23N06-31-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.7W€31.25W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:21.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ20PBF-BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ20PBF-BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFZ20PBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:860pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@10A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0904NSIATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0904NSIATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0904NSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€37W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:20A€78A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6016LSS-13 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6016LSS-13 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6016LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STFU13N65M2 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STFU13N65M2 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STFU13N65M2

    工作温度:150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:590pF@100V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:430mΩ@5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LK3Q-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LK3Q-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6016LK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:10.8A€46.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD900N60Z 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD900N60Z 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD900N60Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@25V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF820APBF 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF820APBF 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF820APBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:340pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF13N65M2 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STF13N65M2 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF13N65M2

    工作温度:150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:590pF@100V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:430mΩ@5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD13N65M2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STD13N65M2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD13N65M2

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@100V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:430mΩ@5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD5NK40Z-1 起订75个装
    ST Mosfet场效应管 STD5NK40Z-1 起订75个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD5NK40Z-1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:45W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:305pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@1.5A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6016LFDF-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6016LFDF-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6016LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:820mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:8.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R750P7ATMA1 起订592个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R750P7ATMA1 起订592个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":10000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R750P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:51W

    阈值电压:3.5V@140µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@500V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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