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    类型: N沟道
    栅极电荷: 17nC@10V
    包装方式: 管件
    当前匹配商品:300+
    商品信息
    参数
    库存/批次
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    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF820ASPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF820ASPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF820ASPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:340pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF680N10T 起订534个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF680N10T 起订534个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF680N10T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:24W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1000pF@50V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ20PBF-BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ20PBF-BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFZ20PBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:860pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@10A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STFU13N65M2 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STFU13N65M2 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STFU13N65M2

    工作温度:150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:590pF@100V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:430mΩ@5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF820APBF 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF820APBF 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF820APBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:340pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF13N65M2 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STF13N65M2 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF13N65M2

    工作温度:150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:590pF@100V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:430mΩ@5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD5NK40Z-1 起订75个装
    ST Mosfet场效应管 STD5NK40Z-1 起订75个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD5NK40Z-1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:45W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:305pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@1.5A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF7N60NZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF7N60NZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF7N60NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:730pF@25V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.25Ω@3.25A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF710PBF-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF710PBF-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF710PBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:36W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:170pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF820ALPBF 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF820ALPBF 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF820ALPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:340pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCU900N60Z 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCU900N60Z 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCU900N60Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:710pF@25V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3564(STA4,Q,M) 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3564(STA4,Q,M) 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3564(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3Ω@1.5A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF820ALPBF 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF820ALPBF 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF820ALPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:340pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP11N65M5 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STP11N65M5 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP11N65M5

    工作温度:150℃

    功率:85W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:644pF@100V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:480mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STFU13N65M2 起订4个装
    ST Mosfet场效应管 STFU13N65M2 起订4个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STFU13N65M2

    工作温度:150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:590pF@100V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:430mΩ@5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF11N65M5 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STF11N65M5 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF11N65M5

    工作温度:150℃

    功率:25W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:644pF@100V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:480mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW7N105K5 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STW7N105K5 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW7N105K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:380pF@100V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:1050V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD5NK40Z-1 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STD5NK40Z-1 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD5NK40Z-1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:45W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:305pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@1.5A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF13N65M2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STF13N65M2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF13N65M2

    工作温度:150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:590pF@100V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:430mΩ@5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF710PBF-BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF710PBF-BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF710PBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:36W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:170pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA50R520CPXKSA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA50R520CPXKSA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":8878,"16+":5000,"19+":3500,"9999":446}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA50R520CPXKSA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:680pF@100V

    连续漏极电流:7.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:520mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP15N60M2-EP 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STP15N60M2-EP 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP15N60M2-EP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:590pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:378mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF13N60M2 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STF13N60M2 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF13N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:580pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STU13N60M2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STU13N60M2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STU13N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:580pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF820APBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF820APBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF820APBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:340pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK13A65U(STA4,Q,M) 起订2500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK13A65U(STA4,Q,M) 起订2500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK13A65U(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:950pF@10V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCU900N60Z 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCU900N60Z 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCU900N60Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:710pF@25V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 IRF710PBF 起订250个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF710PBF 起订250个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF710PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:36W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:170pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 IRF820APBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF820APBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF820APBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:340pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FCU900N60Z 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCU900N60Z 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":107400,"21+":1065,"22+":863,"9999":1367}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCU900N60Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:710pF@25V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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