品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M42-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:36W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:508pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M42-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:36W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:508pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUZ20N08S5L300ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:2V@8µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:599pF@40V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N06T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.88W€60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1015pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N06T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.88W€60W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1015pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75329D3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:128W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@20A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":275969,"19+":10760,"MI+":8000}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9675-55A,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:643pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:68mΩ@10A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M42-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:36W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:508pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€60W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@10A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75321D3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:93W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@20A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL8N10LF3
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€70W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":29882,"24+":8350}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUZ20N08S5L300ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:2V@8µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:599pF@40V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":18000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB147N03LGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:31W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:14.7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9675-55A,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:643pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:68mΩ@10A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":620,"21+":186,"22+":4476}
销售单位:个
规格型号(MPN):HUFA76429D3ST-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL8N10LF3
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€70W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL8N10LF3
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€70W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL8N10LF3
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€70W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76629D3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1285pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":275969,"19+":10760,"MI+":8000}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9675-55A,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:643pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:68mΩ@10A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M42-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:36W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:508pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76629D3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1285pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL8N10LF3
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€70W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":144000}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRLR2703TRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N06T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.88W€60W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1015pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL8N10LF3
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€70W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M42-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:36W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:508pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD454A
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€37W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€60W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@10A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76629D3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1285pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: