品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RMW200N03TB
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1780pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH8R903NL,LQ
工作温度:150℃
功率:1.6W€24W
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17579Q3AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€29W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:998pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:10.2mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17579Q3AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€29W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:998pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:10.2mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR474DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.9W€29.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:985pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDD60R125G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:120W
阈值电压:4V@320µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@6.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020ENJTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M42-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:36W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:508pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M42-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:36W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:508pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUZ20N08S5L300ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:2V@8µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:599pF@40V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020FNJTL
工作温度:150℃
功率:304W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN7R104NC,L1XHQ
工作温度:175℃
功率:840mW€65W
阈值电压:2.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:7.1mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB28N65M2
工作温度:150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440pF@100V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N06T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.88W€60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1015pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN8R903NL,LQ
工作温度:150℃
功率:700mW€22W
阈值电压:2.3V@100µA
栅极电荷:9.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N06T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.88W€60W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1015pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4576
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:951pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR474DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.9W€29.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:985pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75329D3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:128W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@20A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4114DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3700pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU20N06A-TP
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@30V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":275969,"19+":10760,"MI+":8000}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9675-55A,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:643pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:68mΩ@10A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7832TRPBF
工作温度:-55℃~155℃
功率:2.5W
阈值电压:2.32V@250µA
栅极电荷:51nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R104C7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:122W
阈值电压:4V@490µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1819pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@9.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7858ADP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:80nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@6V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@29A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS472DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€28W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:997pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB26N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:169W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1360pF@100V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M42-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:36W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:508pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€60W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@10A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75321D3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:93W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@20A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存: