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    连续漏极电流
    20A
    类型: N沟道
    包装方式: 卷带(TR)
    行业应用: 工业
    连续漏极电流: 20A
    当前匹配商品:900+
    商品信息
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    ROHM Mosfet场效应管 RMW200N03TB 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RMW200N03TB 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RMW200N03TB

    工作温度:150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1780pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH8R903NL,LQ 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH8R903NL,LQ 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH8R903NL,LQ

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€24W

    阈值电压:2.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:820pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17579Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€29W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:998pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17579Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€29W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:998pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR474DP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR474DP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR474DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.9W€29.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:985pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPDD60R125G7XTMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPDD60R125G7XTMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPDD60R125G7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@320µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@400V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@6.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6020ENJTL 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6020ENJTL 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6020ENJTL

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:196mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M42-60EX 起订2128个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M42-60EX 起订2128个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7M42-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:36W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:508pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M42-60EX 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M42-60EX 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7M42-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:36W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:508pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ20N08S5L300ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ20N08S5L300ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUZ20N08S5L300ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:30W

    阈值电压:2V@8µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:599pF@40V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6020FNJTL 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6020FNJTL 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6020FNJTL

    工作温度:150℃

    功率:304W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN7R104NC,L1XHQ 起订5个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN7R104NC,L1XHQ 起订5个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XPN7R104NC,L1XHQ

    工作温度:175℃

    功率:840mW€65W

    阈值电压:2.5V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1290pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB28N65M2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STB28N65M2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB28N65M2

    工作温度:150℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@100V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@10A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06T4G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06T4G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20N06T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.88W€60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1015pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN8R903NL,LQ 起订4个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN8R903NL,LQ 起订4个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN8R903NL,LQ

    工作温度:150℃

    功率:700mW€22W

    阈值电压:2.3V@100µA

    栅极电荷:9.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:820pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06T4G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06T4G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20N06T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.88W€60W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1015pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4576 起订3000个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4576 起订3000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4576

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:951pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR474DP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR474DP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR474DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.9W€29.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:985pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75329D3ST 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75329D3ST 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75329D3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:128W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4114DY-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4114DY-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4114DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3700pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCU20N06A-TP 起订2个装
    MCC Mosfet场效应管 MCU20N06A-TP 起订2个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCU20N06A-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@30V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9675-55A,118 起订716个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9675-55A,118 起订716个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":275969,"19+":10760,"MI+":8000}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9675-55A,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:643pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@10A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7832TRPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7832TRPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7832TRPBF

    工作温度:-55℃~155℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.32V@250µA

    栅极电荷:51nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4310pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL60R104C7AUMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL60R104C7AUMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPL60R104C7AUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:122W

    阈值电压:4V@490µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1819pF@400V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:104mΩ@9.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7858ADP-T1-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7858ADP-T1-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7858ADP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:80nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5700pF@6V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@29A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472DN-T1-GE3 起订9个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472DN-T1-GE3 起订9个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS472DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€28W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:997pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB26N60M2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STB26N60M2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB26N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:169W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1360pF@100V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M42-60EX 起订6个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M42-60EX 起订6个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7M42-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:36W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:508pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06LT4G 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06LT4G 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20N06LT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.36W€60W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:32nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:990pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:48mΩ@10A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75321D3ST 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75321D3ST 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75321D3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:93W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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