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    类型: N沟道
    包装方式: 管件
    功率: 175W
    当前匹配商品:30+
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    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:175W

    阈值电压:2.7V@5mA

    栅极电荷:51nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1272pF@1000V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:208mΩ@12A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:175W

    阈值电压:2.7V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1272pF@1000V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:208mΩ@12A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 SCT20N120 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 SCT20N120 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT20N120

    工作温度:-55℃~200℃

    功率:175W

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    栅极电荷:45nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:650pF@400V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@10A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

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    功率:175W

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    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:208mΩ@12A,15V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订120个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订120个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT17D

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    功率:175W

    阈值电压:2.7V@5mA

    栅极电荷:51nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1272pF@1000V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:208mΩ@12A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订25个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订25个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

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    功率:175W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1272pF@1000V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:208mΩ@12A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 SCT20N120 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 SCT20N120 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT20N120

    工作温度:-55℃~200℃

    功率:175W

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    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@10A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 SCT20N120 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 SCT20N120 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    销售单位:

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    功率:175W

    阈值电压:3.5V@1mA

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    输入电容:650pF@400V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@10A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订10个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订10个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

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    功率:175W

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    栅极电荷:51nC@15V

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    输入电容:1272pF@1000V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:208mΩ@12A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订5个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订5个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:175W

    阈值电压:2.7V@5mA

    栅极电荷:51nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1272pF@1000V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:208mΩ@12A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP070AN06A0 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP070AN06A0 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP070AN06A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:175W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3000pF@25V

    连续漏极电流:15A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订30个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订30个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT17D

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    功率:175W

    阈值电压:2.7V@5mA

    栅极电荷:51nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1272pF@1000V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:208mΩ@12A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP070AN06A0 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP070AN06A0 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP070AN06A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:175W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3000pF@25V

    连续漏极电流:15A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 SCT20N120 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 SCT20N120 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT20N120

    工作温度:-55℃~200℃

    功率:175W

    阈值电压:3.5V@1mA

    栅极电荷:45nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:650pF@400V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@10A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 SCT20N120 起订250个装
    ST Mosfet场效应管 SCT20N120 起订250个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT20N120

    工作温度:-55℃~200℃

    功率:175W

    阈值电压:3.5V@1mA

    栅极电荷:45nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:650pF@400V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@10A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订3个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订3个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:175W

    阈值电压:2.7V@5mA

    栅极电荷:51nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1272pF@1000V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:208mΩ@12A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 SCTWA20N120 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 SCTWA20N120 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCTWA20N120

    工作温度:-55℃~200℃

    功率:175W

    阈值电压:3.5V@1mA

    栅极电荷:45nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:650pF@400V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:239mΩ@10A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP070AN06A0 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP070AN06A0 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP070AN06A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:175W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3000pF@25V

    连续漏极电流:15A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APT4F120S 起订100个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT4F120S 起订100个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT4F120S

    功率:175W

    阈值电压:5V@500µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1385pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2Ω@2A,10V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 SCT20N120 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 SCT20N120 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT20N120

    工作温度:-55℃~200℃

    功率:175W

    阈值电压:3.5V@1mA

    栅极电荷:45nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:650pF@400V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@10A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订10个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订10个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:175W

    阈值电压:2.7V@5mA

    栅极电荷:51nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1272pF@1000V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:208mΩ@12A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订100个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订100个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:175W

    阈值电压:2.7V@5mA

    栅极电荷:51nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1272pF@1000V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:208mΩ@12A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订250个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订250个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:175W

    阈值电压:2.7V@5mA

    栅极电荷:51nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1272pF@1000V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:208mΩ@12A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订500个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订500个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:175W

    阈值电压:2.7V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1272pF@1000V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:208mΩ@12A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订50个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订50个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:175W

    阈值电压:2.7V@5mA

    栅极电荷:51nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1272pF@1000V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:208mΩ@12A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订10个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订10个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:175W

    阈值电压:2.7V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1272pF@1000V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:208mΩ@12A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP070AN06A0 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP070AN06A0 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP070AN06A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:175W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3000pF@25V

    连续漏极电流:15A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订30个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订30个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT17D

    连续漏极电流:21A

    阈值电压:2.7V@5mA

    导通电阻:208mΩ@12A,15V

    类型:N沟道

    漏源电压:1700V

    工作温度:-55℃~175℃

    包装方式:管件

    输入电容:1272pF@1000V

    功率:175W

    栅极电荷:51nC@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订25个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订25个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT17D

    连续漏极电流:21A

    阈值电压:2.7V@5mA

    导通电阻:208mΩ@12A,15V

    类型:N沟道

    漏源电压:1700V

    工作温度:-55℃~175℃

    包装方式:管件

    输入电容:1272pF@1000V

    功率:175W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT17D

    连续漏极电流:21A

    阈值电压:2.7V@5mA

    导通电阻:208mΩ@12A,15V

    类型:N沟道

    漏源电压:1700V

    工作温度:-55℃~175℃

    包装方式:管件

    输入电容:1272pF@1000V

    功率:175W

    栅极电荷:51nC@15V

    包装清单:商品主体 * 1

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