采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G300GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3G100GNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：615pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G300GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G300GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SKI04033
工作温度：150℃
功率：116W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：63.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3910pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@58.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G120MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：16.2mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G120MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：16.2mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G120MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：16.2mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3G100GNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：615pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G120MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：16.2mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G120MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：16.2mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G120MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：16.2mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G120MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：16.2mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G120MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：16.2mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G300GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：56.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G260MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2988pF@20V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@26A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6G120BGTB1
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4240pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.34mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G300GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G120MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：16.2mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G180MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€30W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@20V
连续漏极电流：18A€80A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G150MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@20V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：10.6mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G120MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：16.2mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G300GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：56.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3G150GNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@20V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G260MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2988pF@20V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@26A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3G150GNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@20V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G300GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：56.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G300GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：56.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3G150GNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@20V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G120MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：16.2mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
