品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N03S2L20ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:2V@23µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC079N03LSCGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€30W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@15V
连续漏极电流:14A€50A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N03S2L20ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:2V@23µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R0-30YLB,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1088pF@15V
连续漏极电流:71A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":6344,"12+":2023,"14+":20000}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD30N03S2L20GBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:2V@23µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R0-30YLB,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1088pF@15V
连续漏极电流:71A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N03S2L20ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:2V@23µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1029,"23+":4075,"24+":2142,"MI+":5516}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N03S2L20ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:2V@23µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1029,"23+":4075,"24+":2142,"MI+":5516}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N03S2L20ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:2V@23µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1029,"23+":4075,"24+":2142,"MI+":5516}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N03S2L20ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:2V@23µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":5000,"15+":5000,"17+":4611,"18+":8635,"22+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC079N03LSCGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€30W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@15V
连续漏极电流:14A€50A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R0-30YLB,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1088pF@15V
连续漏极电流:71A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":6000,"18+":45000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB25ENEX
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:607pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@7.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R0-30YLB,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1088pF@15V
连续漏极电流:71A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R0-30YLB,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1088pF@15V
连续漏极电流:71A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R0-30YLB,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1088pF@15V
连续漏极电流:71A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM045NA03CR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1194pF@15V
连续漏极电流:108A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R0-30YLB,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1088pF@15V
连续漏极电流:71A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R0-30YLB,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1088pF@15V
连续漏极电流:71A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R0-30YLB,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1088pF@15V
连续漏极电流:71A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R0-30YLB,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1088pF@15V
连续漏极电流:71A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":6000,"18+":45000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB25ENEX
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:607pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@7.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R0-30YLB,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1088pF@15V
连续漏极电流:71A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R0-30YLB,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1088pF@15V
连续漏极电流:71A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N03S2L20ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:2V@23µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC079N03LSCGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€30W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@15V
连续漏极电流:14A€50A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N03S2L20ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:2V@23µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM045NA03CR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1194pF@15V
连续漏极电流:108A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N03S2L20ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:2V@23µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R0-30YLB,115
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1088pF@15V
类型:N沟道
功率:58W
栅极电荷:19nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:1.95V@1mA
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
连续漏极电流:71A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: