采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R5-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：74W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2458pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8672S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH8318TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€59W
阈值电压：2.35V@50µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3180pF@10V
连续漏极电流：27A€120A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH8318TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€59W
阈值电压：2.35V@50µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3180pF@10V
连续漏极电流：27A€120A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：60000，"MI+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R6-30MLHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2369pF@15V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH8318TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€59W
阈值电压：2.35V@50µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3180pF@10V
连续漏极电流：27A€120A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R5-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：74W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2458pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R5-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：74W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2458pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：14924}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5304TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€46W
阈值电压：2.35V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2360pF@10V
连续漏极电流：22A€79A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@47A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1R603PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：104W
阈值电压：2.1V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：30N03A
工作温度：-55℃~150℃
功率：105W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1963pF@15V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH8318TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€59W
阈值电压：2.35V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3180pF@10V
连续漏极电流：27A€120A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH8318TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€59W
阈值电压：2.35V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3180pF@10V
连续漏极电流：27A€120A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R5-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：74W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2458pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：100N03A
工作温度：-55℃~150℃
功率：105W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1963pF@15V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R5-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：74W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2458pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：100N03A
工作温度：-55℃~150℃
功率：105W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1963pF@15V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1R603PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：104W
阈值电压：2.1V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1R603PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：104W
阈值电压：2.1V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH8318TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€59W
阈值电压：2.35V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3180pF@10V
连续漏极电流：27A€120A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH8318TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€59W
阈值电压：2.35V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3180pF@10V
连续漏极电流：27A€120A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8672S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1R603PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：104W
阈值电压：2.1V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R5-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：74W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2458pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1R603PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：104W
阈值电压：2.1V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1R603PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：104W
阈值电压：2.1V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1R603PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：104W
阈值电压：2.1V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH8318TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€59W
阈值电压：2.35V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3180pF@10V
连续漏极电流：27A€120A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：60000，"MI+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R6-30MLHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2369pF@15V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：100N03A
工作温度：-55℃~150℃
功率：105W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1963pF@15V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
