品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0855DPB-00#J5
工作温度:150℃
功率:60W
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2550pF@10V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G300GNTB
工作温度:150℃
功率:3W€35W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@20V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6030ENZ4C13
工作温度:150℃
功率:305W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ300N10TL
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G300GNTB
工作温度:150℃
功率:3W€35W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@20V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW26NM50
工作温度:150℃
功率:313W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:106nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3000pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@13A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW38N65M5
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3000pF@100V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW26NM50
工作温度:150℃
功率:313W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:106nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3000pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@13A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RCX300N20
工作温度:150℃
功率:2.23W€40W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3200pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@15A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ300N10TL
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G300GNTB
工作温度:150℃
功率:3W€35W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:56.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@20V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK099V65Z,LQ
工作温度:150℃
功率:230W
阈值电压:4V@1.27mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2780pF@300V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G300GNTB
工作温度:150℃
功率:3W€35W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@20V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RCX300N20
工作温度:150℃
功率:2.23W€40W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3200pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@15A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G300GNTB
工作温度:150℃
功率:3W€35W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:56.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@20V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM340N06CP ROG
工作温度:150℃
功率:66W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@30V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ300N10TL
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G300GNTB
工作温度:150℃
功率:3W€35W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:56.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@20V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G300GNTB
工作温度:150℃
功率:3W€35W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:56.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@20V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6030ENXC7G
工作温度:150℃
功率:86W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":44800}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK60S7DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:34.7W
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2300pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ300N10TL
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ300N10TL
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW38N65M5
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3000pF@100V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM340N06CP ROG
工作温度:150℃
功率:66W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@30V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK30A06N1,S4X
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4V@200µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1050pF@30V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":44800}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK60S7DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:34.7W
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2300pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6030ENXC7G
工作温度:150℃
功率:86W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP38N65M5
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3000pF@100V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ301N10FRATL
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: