首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    类型: N沟道
    连续漏极电流: 30A
    工作温度: 150℃
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:200+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0855DPB-00#J5 起订2个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0855DPB-00#J5 起订2个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK0855DPB-00#J5

    工作温度:150℃

    功率:60W

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2550pF@10V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@15A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G300GNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€35W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6030ENZ4C13 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6030ENZ4C13 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6030ENZ4C13

    工作温度:150℃

    功率:305W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSJ300N10TL 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSJ300N10TL 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSJ300N10TL

    工作温度:150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订2500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订2500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G300GNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€35W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G300GNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€35W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW26NM50 起订30个装
    ST Mosfet场效应管 STW26NM50 起订30个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW26NM50

    工作温度:150℃

    功率:313W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:106nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3000pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@13A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW38N65M5 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW38N65M5 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW38N65M5

    工作温度:150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3000pF@100V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@15A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW26NM50 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW26NM50 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW26NM50

    工作温度:150℃

    功率:313W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:106nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3000pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@13A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RCX300N20 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RCX300N20 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RCX300N20

    工作温度:150℃

    功率:2.23W€40W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:3200pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@15A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSJ300N10TL 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSJ300N10TL 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSJ300N10TL

    工作温度:150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G300GNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€35W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:56.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK099V65Z,LQ 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK099V65Z,LQ 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK099V65Z,LQ

    工作温度:150℃

    功率:230W

    阈值电压:4V@1.27mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2780pF@300V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@15A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G300GNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€35W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RCX300N20 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RCX300N20 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RCX300N20

    工作温度:150℃

    功率:2.23W€40W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:3200pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@15A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订2000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订2000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G300GNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€35W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:56.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM340N06CP ROG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM340N06CP ROG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM340N06CP ROG

    工作温度:150℃

    功率:66W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:16.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@30V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSJ300N10TL 起订300个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSJ300N10TL 起订300个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSJ300N10TL

    工作温度:150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订2000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订2000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G300GNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€35W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:56.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订300个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订300个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G300GNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€35W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:56.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6030ENXC7G 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6030ENXC7G 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6030ENXC7G

    工作温度:150℃

    功率:86W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK60S7DPP-E0#T2 起订50个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK60S7DPP-E0#T2 起订50个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":44800}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK60S7DPP-E0#T2

    工作温度:150℃

    功率:34.7W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2300pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@15A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSJ300N10TL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSJ300N10TL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSJ300N10TL

    工作温度:150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSJ300N10TL 起订300个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSJ300N10TL 起订300个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSJ300N10TL

    工作温度:150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW38N65M5 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STW38N65M5 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW38N65M5

    工作温度:150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3000pF@100V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@15A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM340N06CP ROG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM340N06CP ROG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM340N06CP ROG

    工作温度:150℃

    功率:66W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:16.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@30V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK30A06N1,S4X 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK30A06N1,S4X 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK30A06N1,S4X

    工作温度:150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@200µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1050pF@30V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK60S7DPP-E0#T2 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK60S7DPP-E0#T2 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":44800}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK60S7DPP-E0#T2

    工作温度:150℃

    功率:34.7W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2300pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@15A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6030ENXC7G 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6030ENXC7G 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6030ENXC7G

    工作温度:150℃

    功率:86W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP38N65M5 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STP38N65M5 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP38N65M5

    工作温度:150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3000pF@100V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@15A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧