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    连续漏极电流
    40A
    行业应用
    类型: N沟道
    连续漏极电流: 40A
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:1500+
    商品信息
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    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ40N50L2 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ40N50L2 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTQ40N50L2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:540W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:320nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:10400pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@20A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S5L7R4ATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S5L7R4ATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPZ40N04S5L7R4ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:34W

    阈值电压:2V@10µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7858BDP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7858BDP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7858BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€48W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:84nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5760pF@6V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXKN40N60C 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXKN40N60C 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXKN40N60C

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:290W

    阈值电压:3.9V@2.5mA

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:管件

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 SCTL90N65G2V 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 SCTL90N65G2V 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCTL90N65G2V

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:935W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:157nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3380pF@400V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:24Ω@40A,18V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4630DY-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4630DY-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4630DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:161nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6670pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0853DPB-00#J5 起订2个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0853DPB-00#J5 起订2个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK0853DPB-00#J5

    工作温度:150℃

    功率:65W

    栅极电荷:40nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6170pF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SCT2080KEGC11 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 SCT2080KEGC11 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):450psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT2080KEGC11

    工作温度:175℃

    功率:262W

    阈值电压:4V@4.4mA

    栅极电荷:106nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:2080pF@800V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:117mΩ@10A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL082N65S3F 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL082N65S3F 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):450psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHL082N65S3F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:313W

    阈值电压:5V@4mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3410pF@400V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:82mΩ@20A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ096N10LS5ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ096N10LS5ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ096N10LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:2.3V@36µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@50V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS64DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS64DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS64DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3420pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 SCT30N120 起订30个装
    ST Mosfet场效应管 SCT30N120 起订30个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT30N120

    工作温度:-55℃~200℃

    功率:270W

    阈值电压:2.6V@1mA

    栅极电荷:105nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:1700pF@400V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@20A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ075N08NS5ATMA1 起订532个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ075N08NS5ATMA1 起订532个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":37,"22+":5000,"23+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ075N08NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:3.8V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2080pF@40V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA36DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA36DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA36DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2815pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB082N65S3F 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB082N65S3F 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB082N65S3F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:313W

    阈值电压:5V@4mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3410pF@400V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:82mΩ@20A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0804LSATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0804LSATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0804LSATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.3V@36µA

    栅极电荷:14.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@50V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S5L2R8ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S5L2R8ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPZ40N04S5L2R8ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA36DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA36DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA36DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2815pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SCT2080KEGC11 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 SCT2080KEGC11 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):450psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT2080KEGC11

    工作温度:175℃

    功率:262W

    阈值电压:4V@4.4mA

    栅极电荷:106nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:2080pF@800V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:117mΩ@10A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0804LSATMA1 起订408个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0804LSATMA1 起订408个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":4081}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0804LSATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.3V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@50V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ096N10LS5ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ096N10LS5ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ096N10LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:2.3V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@50V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S5L2R8ATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S5L2R8ATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPZ40N04S5L2R8ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2V@30µA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S53R1ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S53R1ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPZ40N04S53R1ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:3.4V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2310pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH40N85X 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH40N85X 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH40N85X

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860W

    阈值电压:5.5V@4mA

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3700pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:145mΩ@500mA,10V

    漏源电压:850V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4LN067N65S3H 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4LN067N65S3H 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4LN067N65S3H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:266W

    阈值电压:4V@3.9mA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3750pF@400V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@20A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7868ADP-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7868ADP-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7868ADP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6110pF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.25mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ096N10LS5ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ096N10LS5ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ096N10LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:2.3V@36µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@50V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ075N08NS5ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ075N08NS5ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ075N08NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:3.8V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2080pF@40V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ40N06S5N050ATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ40N06S5N050ATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUZ40N06S5N050ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:3.4V@29µA

    栅极电荷:30.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@30V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB082N65S3F 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB082N65S3F 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB082N65S3F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:313W

    阈值电压:5V@4mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3410pF@400V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:82mΩ@20A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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