包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF40NF20
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@20A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP206-TL-H
工作温度:150℃
功率:40W
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1630pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF40NF20
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功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@20A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):STF40NF20
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功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@20A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):STF40NF20
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功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@20A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
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功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
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连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@20A,10V
漏源电压:200V
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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工作温度:150℃
功率:40W
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1630pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@20A,10V
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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工作温度:150℃
功率:40W
栅极电荷:27nC@10V
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输入电容:1630pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
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工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@20A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
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