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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP66923
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1725pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP66923
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1725pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP66923
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1725pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP66923
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1725pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：4900，"13+"：45870，"14+"：16000，"15+"：10000，"16+"：27000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R250CPATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.5V@440µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：4900，"13+"：45870，"14+"：16000，"15+"：10000，"16+"：27000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R250CPATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.5V@440µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP66923
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1725pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：4900，"13+"：45870，"14+"：16000，"15+"：10000，"16+"：27000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R250CPATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.5V@440µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：AOSP66923
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
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输入电容：1725pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
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ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
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类型：N沟道
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连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
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输入电容：1725pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：4900，"13+"：45870，"14+"：16000，"15+"：10000，"16+"：27000}
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规格型号(MPN)：IPB60R250CPATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.5V@440µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7.8A，10V
漏源电压：600V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP66923
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1725pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP66923
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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功率：3.1W
类型：N沟道
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输入电容：1725pF@50V
栅极电荷：35nC@10V
ECCN：EAR99
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阈值电压：2.6V@250µA
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行业应用：工业,汽车
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功率：3.1W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1725pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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功率：3.1W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1725pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AOSP66923
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ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1725pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1725pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP66923
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1725pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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