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    类型: N沟道
    连续漏极电流: 8.6A
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:80+
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    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSSQ-13 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSSQ-13 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4800LSSQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.46W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:8.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:8.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4700NR2 起订275个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4700NR2 起订275个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"04+":27500,"MI+":7500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4700NR2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@24V

    连续漏极电流:8.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4937NR2G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4937NR2G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":45000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4937NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:810mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2563pF@25V

    连续漏极电流:8.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSSQ-13 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSSQ-13 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4800LSSQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.46W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:8.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:8.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP10NK70ZFP 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STP10NK70ZFP 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP10NK70ZFP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:8.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO6404 起订13个装
    AOS Mosfet场效应管 AO6404 起订13个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO6404

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:17.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1810pF@10V

    连续漏极电流:8.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQA9N90-F109 起订141个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQA9N90-F109 起订141个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":220}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA9N90-F109

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:240W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2700pF@25V

    连续漏极电流:8.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3Ω@4.3A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP10NK70ZFP 起订200个装
    ST Mosfet场效应管 STP10NK70ZFP 起订200个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP10NK70ZFP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:8.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP10NK70ZFP 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STP10NK70ZFP 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP10NK70ZFP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:8.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO6404 起订1200个装
    AOS Mosfet场效应管 AO6404 起订1200个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO6404

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:17.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1810pF@10V

    连续漏极电流:8.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSSQ-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSSQ-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4800LSSQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.46W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:8.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:8.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSSQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSSQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4800LSSQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.46W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:8.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4937NR2G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4937NR2G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":8054,"19+":535,"22+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4937NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:810mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2563pF@25V

    连续漏极电流:8.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4937NR2G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4937NR2G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":45000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4937NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:810mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2563pF@25V

    连续漏极电流:8.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQA9N90-F109 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQA9N90-F109 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":445}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA9N90-F109

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:240W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2700pF@25V

    连续漏极电流:8.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3Ω@4.3A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP10NK70ZFP 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STP10NK70ZFP 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP10NK70ZFP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:8.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP10NK70ZFP 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STP10NK70ZFP 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP10NK70ZFP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:8.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4700NR2 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4700NR2 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"04+":27500,"MI+":7500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4700NR2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@24V

    连续漏极电流:8.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQA9N90-F109 起订141个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQA9N90-F109 起订141个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA9N90-F109

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:240W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2700pF@25V

    连续漏极电流:8.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3Ω@4.3A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSSQ-13 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSSQ-13 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4800LSSQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.46W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:8.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:8.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4700NR2 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4700NR2 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4700NR2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:24nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@24V

    连续漏极电流:8.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSSQ-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSSQ-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4800LSSQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.46W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:8.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:8.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP10NK70ZFP 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STP10NK70ZFP 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP10NK70ZFP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:8.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP10NK70ZFP 起订4个装
    ST Mosfet场效应管 STP10NK70ZFP 起订4个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP10NK70ZFP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:8.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP10NK70ZFP 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STP10NK70ZFP 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP10NK70ZFP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:8.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4937NR2G 起订504个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4937NR2G 起订504个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":45000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4937NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:810mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2563pF@25V

    连续漏极电流:8.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQA9N90-F109 起订141个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQA9N90-F109 起订141个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":445}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA9N90-F109

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:240W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2700pF@25V

    连续漏极电流:8.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3Ω@4.3A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO6404 起订600个装
    AOS Mosfet场效应管 AO6404 起订600个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO6404

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:17.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1810pF@10V

    连续漏极电流:8.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSSQ-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSSQ-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4800LSSQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.46W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:8.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSSQ-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSSQ-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4800LSSQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.46W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:8.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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