采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8453LZ-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：118W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3515pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R400CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：118W
阈值电压：3.5V@320µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@100V
连续漏极电流：15.1A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@3.2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R400CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：118W
阈值电压：3.5V@320µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@100V
连续漏极电流：15.1A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@3.2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R400CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：118W
阈值电压：3.5V@320µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@100V
连续漏极电流：15.1A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@3.2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R400CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：118W
阈值电压：3.5V@320µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@100V
连续漏极电流：15.1A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@3.2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R400CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：118W
阈值电压：3.5V@320µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@100V
连续漏极电流：15.1A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@3.2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19534KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：118W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：1319，"18+"：1775，"19+"：5850，"20+"：150，"MI+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPS65R400CEAKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：118W
阈值电压：3.5V@320µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：710pF@100V
连续漏极电流：15.1A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@3.2435A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8453LZ-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：118W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3515pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19534KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：118W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19534KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：118W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R400CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：118W
阈值电压：3.5V@320µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@100V
连续漏极电流：15.1A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@3.2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8453LZ-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：118W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3515pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19534KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：118W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19534KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：118W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R400CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：118W
阈值电压：3.5V@320µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@100V
连续漏极电流：15.1A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@3.2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：1319，"18+"：1775，"19+"：5850，"20+"：150，"MI+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPS65R400CEAKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：118W
阈值电压：3.5V@320µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：710pF@100V
连续漏极电流：15.1A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@3.2435A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8453LZ-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：118W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3515pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R400CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：118W
阈值电压：3.5V@320µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@100V
连续漏极电流：15.1A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@3.2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：7500，"23+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R400CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：118W
阈值电压：3.5V@320µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@100V
连续漏极电流：15.1A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@3.2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8453LZ-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：118W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3515pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R400CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：118W
阈值电压：3.5V@320µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@100V
连续漏极电流：15.1A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@3.2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：1319，"18+"：1775，"19+"：5850，"20+"：150，"MI+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPS65R400CEAKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：118W
阈值电压：3.5V@320µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：710pF@100V
连续漏极电流：15.1A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@3.2435A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R400CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：118W
阈值电压：3.5V@320µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@100V
连续漏极电流：15.1A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@3.2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19534KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：118W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R400CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：118W
阈值电压：3.5V@320µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@100V
连续漏极电流：15.1A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@3.2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19534KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：118W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19534KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：118W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19534KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：118W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R400CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：118W
阈值电压：3.5V@320µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@100V
连续漏极电流：15.1A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@3.2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
