采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8453LZ-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：118W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3515pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19534KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：118W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8453LZ-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：118W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3515pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19534KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：118W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19534KCS
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功率：118W
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包装方式：管件
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@30A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8453LZ-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：118W
阈值电压：3V@250µA
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输入电容：3515pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19534KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：118W
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包装方式：管件
输入电容：1670pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19534KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：118W
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包装方式：管件
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8453LZ-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：118W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
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输入电容：3515pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8453LZ-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：118W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：3515pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19534KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：118W
阈值电压：3.4V@250µA
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包装方式：管件
输入电容：1670pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19534KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：118W
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19534KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：118W
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19534KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：118W
阈值电压：3.4V@250µA
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包装方式：管件
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8453LZ-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：118W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3515pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19534KCS
工作温度：-55℃~175℃
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19534KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：118W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：22.2nC@10V
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19534KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：118W
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包装方式：管件
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8453LZ-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：118W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3515pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8453LZ-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：118W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3515pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8453LZ-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：118W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3515pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19534KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：118W
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19534KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：118W
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19534KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：118W
阈值电压：3.4V@250µA
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类型：N沟道
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漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19534KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：118W
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包装方式：管件
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@30A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19534KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：118W
阈值电压：3.4V@250µA
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包装方式：管件
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类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19534KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：118W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：91，"10+"：1273}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9520-55A，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：118W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：2210pF@25V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19534KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：118W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9520-55A，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：118W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：管件
输入电容：2210pF@25V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
