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    类型: N沟道
    功率: 417W
    阈值电压: 5V@250µA
    当前匹配商品:90+
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    INFINEON Mosfet场效应管 IRF200S234 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF200S234 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF200S234

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:162nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6484pF@50V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.9mΩ@51A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH47N60-F133 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH47N60-F133 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH47N60-F133

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:270nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8000F@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@23.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCA47N60-F109 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCA47N60-F109 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCA47N60-F109

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:270nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8000pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@23.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF200S234 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF200S234 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF200S234

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:162nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6484pF@50V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.9mΩ@51A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP61N20 起订273个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP61N20 起订273个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":4000,"23+":1600,"MI+":800}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP61N20

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3380pF@25V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@30.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP61N20 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP61N20 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP61N20

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3380pF@25V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@30.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF200S234 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF200S234 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF200S234

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:162nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6484pF@50V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.9mΩ@51A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH47N60-F133 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH47N60-F133 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH47N60-F133

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:270nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8000F@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@23.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW45NM50 起订250个装
    ST Mosfet场效应管 STW45NM50 起订250个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW45NM50

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3700pF@25V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@22.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP61N20 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP61N20 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP61N20

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3380pF@25V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@30.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP61N20 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP61N20 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP61N20

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3380pF@25V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@30.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW45NM50 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STW45NM50 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW45NM50

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3700pF@25V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@22.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDP61N20 起订13个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDP61N20 起订13个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP61N20

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:75nC@10V

    输入电容:3380pF@25V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@30.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH47N60-F133 起订510个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH47N60-F133 起订510个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH47N60-F133

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:270nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8000F@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@23.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP61N20 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP61N20 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP61N20

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3380pF@25V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@30.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH47N60-F133 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH47N60-F133 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH47N60-F133

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:270nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8000F@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@23.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCA47N60 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCA47N60 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCA47N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:270nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8000pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@23.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDP61N20 起订2个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDP61N20 起订2个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP61N20

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:75nC@10V

    输入电容:3380pF@25V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@30.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP61N20 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP61N20 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP61N20

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3380pF@25V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@30.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW45NM60 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW45NM60 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW45NM60

    工作温度:150℃

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:134nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3800pF@25V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@22.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH47N60F-F133 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH47N60F-F133 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH47N60F-F133

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:270nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8000pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@23.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW45NM50 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW45NM50 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW45NM50

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3700pF@25V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@22.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW45NM50 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STW45NM50 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW45NM50

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3700pF@25V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@22.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW45NM50 起订120个装
    ST Mosfet场效应管 STW45NM50 起订120个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW45NM50

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3700pF@25V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@22.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP61N20 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP61N20 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP61N20

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3380pF@25V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@30.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH47N60-F133 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH47N60-F133 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH47N60-F133

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:270nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8000F@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@23.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW45NM50 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW45NM50 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW45NM50

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3700pF@25V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@22.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW45NM50 起订30个装
    ST Mosfet场效应管 STW45NM50 起订30个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW45NM50

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3700pF@25V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@22.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP61N20 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP61N20 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP61N20

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3380pF@25V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@30.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW45NM50 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STW45NM50 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW45NM50

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3700pF@25V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@22.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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