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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：9784}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC120N04S6L009ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7806pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：960mΩ@60A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C404NWFET1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@25V
连续漏极电流：53A€378A
类型：N沟道
导通电阻：0.70mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：14000}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP90N06S404AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10400pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP50020E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC120N04S6L009ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7806pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：960mΩ@60A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C404NAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@25V
连续漏极电流：53A€378A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C404NWFET1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@25V
连续漏极电流：53A€378A
类型：N沟道
导通电阻：0.70mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC120N04S6L009ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7806pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：960mΩ@60A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C404NAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@25V
连续漏极电流：53A€378A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：300000，"23+"：16703，"MI+"：25000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD100N06S403ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10400pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3027}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC005N03LS5IATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€188W
阈值电压：2V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8000pF@15V
连续漏极电流：42A€433A
类型：N沟道
导通电阻：0.55mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R6-100BSEJ
工作温度：-55℃~175℃
功率：296W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7110pF@50V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C404NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@25V
连续漏极电流：378A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD100N06S403ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@90µA
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10400pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90N06S404ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@90µA
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10400pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：300000，"23+"：16703，"MI+"：25000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD100N06S403ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10400pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：189381}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C404NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@25V
连续漏极电流：53A€378A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD100N06S403ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@90µA
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10400pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：189381}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C404NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@25V
连续漏极电流：53A€378A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C404NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@25V
连续漏极电流：378A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：189381}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C404NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@25V
连续漏极电流：53A€378A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：300000，"23+"：16703，"MI+"：25000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD100N06S403ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10400pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90N06S404ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@90µA
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10400pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C404NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@25V
连续漏极电流：53A€378A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD100N06S403ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10400pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C404NAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@25V
连续漏极电流：53A€378A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C404NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@25V
连续漏极电流：53A€378A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：14000}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP90N06S404AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10400pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC005N03LS5IATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€188W
阈值电压：2V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8000pF@15V
连续漏极电流：42A€433A
类型：N沟道
导通电阻：0.55mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1566，"22+"：1715}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB90N06S404ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10400pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
