首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    类型
    工作温度
    漏源电压
    行业应用
    阈值电压
    类型: N沟道
    工作温度: -55℃~175℃
    漏源电压: 100V
    行业应用: 工业
    阈值电压: 4V@250µA
    当前匹配商品:1500+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFU3910PBF 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFU3910PBF 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFU3910PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:115mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFU3410PBF 起订770个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFU3410PBF 起订770个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":10018,"22+":9614,"23+":52852,"24+":1239}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFU3410PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€110W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1690pF@25V

    连续漏极电流:31A

    类型:N沟道

    导通电阻:39mΩ@18A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:770
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3710PBF 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3710PBF 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF3710PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3130pF@25V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@28A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI1310NPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI1310NPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI1310NPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3690 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3690 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD3690

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1514pF@50V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI4110GPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI4110GPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI4110GPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:61W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:290nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9540pF@50V

    连续漏极电流:72A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@43A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF540NPBF 起订20个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF540NPBF 起订20个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF540NPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:130W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1960pF@25V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:20
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR120NTRPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR120NTRPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR120NTRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@25V

    连续漏极电流:9.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF540ZPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF540ZPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF540ZPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:92W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1770pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:26.5mΩ@22A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6413ANT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6413ANT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB6413ANT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@42A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86150ET100
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86150ET100

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86150ET100

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W€187W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4065pF@50V

    连续漏极电流:16A€128A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.85mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86150ET100 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86150ET100 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86150ET100

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W€187W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4065pF@50V

    连续漏极电流:16A€128A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.85mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP70060E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP70060E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUP70060E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:3330pF@50V

    连续漏极电流:131A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H010SPS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H010SPS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H010SPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:56.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4468pF@50V

    连续漏极电流:11.8A€123A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF510PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF510PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF510PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:43W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:180pF@25V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:66
    加购:50
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF530SPBF 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF530SPBF 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF530SPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€88W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3632

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@25V

    连续漏极电流:12A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:800
    加购:800
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75645P3
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75645P3

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75645P3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:238nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:3790pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF510PBF-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF510PBF-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF510PBF-BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:43W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:180pF@25V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFP4110PBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFP4110PBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP4110PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:370W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:210nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9620pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    加购:25
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD120PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD120PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD120PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:270mΩ@780mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75639G3
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75639G3

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75639G3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:130nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@56A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6412ANG
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6412ANG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":7810}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB6412ANG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.2mΩ@58A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:103
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP140PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP140PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP140PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:180W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:31A

    类型:N沟道

    导通电阻:77mΩ@19A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD70090E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1950pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3682
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3682

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3682

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:95W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@25V

    连续漏极电流:6A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@32A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":388}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3632-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:67
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF540PBF-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF540PBF-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF540PBF-BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:77mΩ@11A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0240N100
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0240N100

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL0240N100

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€300W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8755pF@50V

    连续漏极电流:210A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    ST Mosfet场效应管 STP110N10F7
    ST Mosfet场效应管 STP110N10F7

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP110N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5500pF@50V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@55A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧