包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19531KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.3V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3870pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@60A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19505KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7920pF@40V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18533KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:192W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3025pF@30V
连续漏极电流:72A€100A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18510KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11400pF@20V
连续漏极电流:274A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19506KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12200pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19532KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5060pF@50V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18511KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5940pF@20V
连续漏极电流:194A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18532KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4680pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19503KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2730pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:9.2mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18511KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5940pF@20V
连续漏极电流:110A€194A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19536KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12000pF@50V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18511KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5940pF@20V
连续漏极电流:194A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19501KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:217W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3980pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18510KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11400pF@20V
连续漏极电流:274A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18534KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1880pF@30V
连续漏极电流:45A€100A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18535KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6620pF@30V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19505KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7920pF@40V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18510KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:75nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:11400pF@20V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19531KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.3V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3870pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@60A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19505KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7920pF@40V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18511KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5940pF@20V
连续漏极电流:194A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19501KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:217W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3980pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18532KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4680pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18511KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5940pF@20V
连续漏极电流:194A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19505KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7920pF@40V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18511KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5940pF@20V
连续漏极电流:194A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19532KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5060pF@50V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19505KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7920pF@40V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19501KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:217W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3980pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18535KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6620pF@30V
连续漏极电流:200A€279A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: