首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    类型
    工作温度
    阈值电压
    行业应用
    类型: N沟道
    工作温度: -55℃~150℃
    阈值电压: 5V@250µA
    当前匹配商品:3400+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG14N50D-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG14N50D-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG14N50D-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1144pF@100V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@7A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD180N60E-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD180N60E-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD180N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1080pF@100V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:195mΩ@9,5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N60NZTM 起订3个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N60NZTM 起订3个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N60NZTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH080N60E-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH080N60E-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH080N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:184W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2557pF@100V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH3N200P3HV 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH3N200P3HV 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTH3N200P3HV

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:520W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1860pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:8Ω@1.5A,10V

    漏源电压:2000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD4N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD5T40P 起订4个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD5T40P 起订4个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD5T40P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:273pF@100V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.45Ω@1A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP52N20 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP52N20 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP52N20

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2900pF@25V

    连续漏极电流:52A

    类型:N沟道

    导通电阻:49mΩ@26A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL33N60DM2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STL33N60DM2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL33N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1870pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP20N50F 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP20N50F 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP20N50F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3390pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:260mΩ@10A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF10N40D-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF10N40D-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHF10N40D-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:526pF@100V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@5A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP2710 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP2710 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP2710

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:101nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7280pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:42.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD186N60EF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD186N60EF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD186N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1118pF@100V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:201mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF9N90CT 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF9N90CT 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF9N90CT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:68W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2730pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@4A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA120N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA120N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA120N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1562pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTY4N65X2 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTY4N65X2 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):70psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTY4N65X2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:80W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:455pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@2A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH041N60F 起订150个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH041N60F 起订150个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH041N60F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:595W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:360nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:14365pF@100V

    连续漏极电流:76A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@38A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF20N50FT 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF20N50FT 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF20N50FT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38.5W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3390pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:260mΩ@10A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG080N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG080N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG080N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2557pF@100V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP6N40D-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP6N40D-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP6N40D-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:311pF@100V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@3A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG16N50C-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG16N50C-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG16N50C-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@8A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP4N80 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP4N80 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP4N80

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:130W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:880pF@25V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6Ω@1.95A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDA24N40F 起订1个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDA24N40F 起订1个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDA24N40F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:235W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3030pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDL100N50F 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDL100N50F 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDL100N50F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2500W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:238nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:12000pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@50A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH041N60F-F085 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH041N60F-F085 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH041N60F-F085

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:595W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:347nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:10900pF@25V

    连续漏极电流:76A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@38A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB4N80TM 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB4N80TM 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB4N80TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.13W€130W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@25V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6Ω@1.95A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF6N80C 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF6N80C 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF6N80C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:51W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1310pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@2.75A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB33N25TM 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB33N25TM 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB33N25TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:235W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2135pF@25V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:94mΩ@16.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG018N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG018N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG018N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:524W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:228nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7612pF@100V

    连续漏极电流:99A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@25A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCA20N60 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCA20N60 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCA20N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3080pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧