采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT2004UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€12.5W
阈值电压：1.45V@250µA
栅极电荷：53.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@9A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT2004UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€12.5W
阈值电压：1.45V@250µA
栅极电荷：53.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@9A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT2004UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€12.5W
阈值电压：1.45V@250µA
栅极电荷：53.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@9A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：179200，"06+"：800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB90N02T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2120pF@20V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@90A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：179200，"06+"：800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB90N02T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2120pF@20V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@90A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT2004UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€12.5W
阈值电压：1.45V@250µA
栅极电荷：53.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@9A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：47145，"MI+"：3150}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD85N02RT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€78.1W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@20V
连续漏极电流：12A€85A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT2004UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€12.5W
阈值电压：1.45V@250µA
栅极电荷：53.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@9A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：708，"04+"：18895，"05+"：2500，"06+"：2920}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD80N02T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@20V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@80A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT2004UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€12.5W
阈值电压：1.45V@250µA
栅极电荷：53.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@9A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD85N02RT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€78.1W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：17.7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@20V
连续漏极电流：12A€85A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD80N02T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@20V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@80A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD95N02RT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€86W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@20V
连续漏极电流：12A€32A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD95N02RT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€86W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@20V
连续漏极电流：12A€32A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：708，"04+"：18895，"05+"：2500，"06+"：2920}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD80N02T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@20V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@80A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT2004UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€12.5W
阈值电压：1.45V@250µA
栅极电荷：53.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@9A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD95N02RT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€86W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@20V
连续漏极电流：12A€32A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：9472}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD85N02RT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€78.1W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@20V
连续漏极电流：12A€85A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：47145，"MI+"：3150}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD85N02RT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€78.1W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@20V
连续漏极电流：12A€85A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT2004UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€12.5W
阈值电压：1.45V@250µA
栅极电荷：53.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@9A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：195，"10+"：5600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB90N02T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2120pF@20V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@90A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：195，"10+"：5600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB90N02T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2120pF@20V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@90A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT2004UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€12.5W
阈值电压：1.45V@250µA
栅极电荷：53.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@9A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT2004UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€12.5W
阈值电压：1.45V@250µA
栅极电荷：53.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@9A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD95N02RT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€86W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@20V
连续漏极电流：12A€32A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT2004UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€12.5W
阈值电压：1.45V@250µA
栅极电荷：53.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@9A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT2004UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€12.5W
阈值电压：1.45V@250µA
栅极电荷：53.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@9A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT2004UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€12.5W
阈值电压：1.45V@250µA
栅极电荷：53.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@9A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT2004UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€12.5W
阈值电压：1.45V@250µA
栅极电荷：53.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@9A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT2004UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€12.5W
阈值电压：1.45V@250µA
栅极电荷：53.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@9A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
