采购热线 400-661-9010
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
输入电容：315pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT4N20LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：5.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@25V
连续漏极电流：850mA
类型：N沟道
导通电阻：1.35Ω@425mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN20B28KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：358pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@2.75A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT4N20LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：5.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@25V
连续漏极电流：850mA
类型：N沟道
导通电阻：1.35Ω@425mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT4N20LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@25V
连续漏极电流：850mA
类型：N沟道
导通电阻：1.35Ω@425mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT4N20LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@25V
连续漏极电流：850mA
类型：N沟道
导通电阻：1.35Ω@425mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT4N20LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@25V
连续漏极电流：850mA
类型：N沟道
导通电阻：1.35Ω@425mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT4N20LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@25V
连续漏极电流：850mA
类型：N沟道
导通电阻：1.35Ω@425mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6069SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：825pF@30V
连续漏极电流：4.3A€10A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6069SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：825pF@30V
连续漏极电流：4.3A€10A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT4N20LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@25V
连续漏极电流：850mA
类型：N沟道
导通电阻：1.35Ω@425mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT4N20LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：5.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@25V
连续漏极电流：850mA
类型：N沟道
导通电阻：1.35Ω@425mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT4N20LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：5.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@25V
连续漏极电流：850mA
类型：N沟道
导通电阻：1.35Ω@425mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
输入电容：315pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN20B28KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：358pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@2.75A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN20B28KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：358pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@2.75A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6069SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：825pF@30V
连续漏极电流：4.3A€10A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6069SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：825pF@30V
连续漏极电流：4.3A€10A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6069SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：825pF@30V
连续漏极电流：4.3A€10A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6069SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：825pF@30V
连续漏极电流：4.3A€10A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86244
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
输入电容：395pF@75V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：128mΩ@2.8A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN20B28KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：358pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@2.75A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6069SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：825pF@30V
连续漏极电流：4.3A€10A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
