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    类型: N沟道
    工作温度: 150℃
    行业应用: 汽车
    栅极电荷: 34nC@10V
    当前匹配商品:80+
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    onsemi Mosfet场效应管 NDFP03N150CG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDFP03N150CG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDFP03N150CG

    工作温度:150℃

    功率:2W€32W

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:650pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5Ω@1A,10V

    漏源电压:1500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF6N62K3 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STF6N62K3 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF6N62K3

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:875pF@50V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.28Ω@2.8A,10V

    漏源电压:620V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP19NM50N 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STP19NM50N 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP19NM50N

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1000pF@50V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@7A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP19NM50N 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STP19NM50N 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP19NM50N

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1000pF@50V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@7A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDTL03N150CG 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDTL03N150CG 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":17100,"23+":810,"MI+":540}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDTL03N150CG

    工作温度:150℃

    功率:2.5W€140W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:650pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5Ω@1.25A,10V

    漏源电压:1500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDTL03N150CG 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDTL03N150CG 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":30,"23+":1800}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDTL03N150CG

    工作温度:150℃

    功率:2.5W€140W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:650pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5Ω@1.25A,10V

    漏源电压:1500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP19NM50N 起订25个装
    ST Mosfet场效应管 STP19NM50N 起订25个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP19NM50N

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1000pF@50V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@7A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW19NM50N 起订8个装
    ST Mosfet场效应管 STW19NM50N 起订8个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW19NM50N

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1000pF@50V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@7A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP19NM50N 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STP19NM50N 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP19NM50N

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1000pF@50V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@7A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF6N62K3 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STF6N62K3 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF6N62K3

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:875pF@50V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.28Ω@2.8A,10V

    漏源电压:620V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP19NM50N 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STP19NM50N 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP19NM50N

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1000pF@50V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@7A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK32A12N1,S4X 起订50个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK32A12N1,S4X 起订50个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK32A12N1,S4X

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@500µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2000pF@60V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN2R203NC,L1Q 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN2R203NC,L1Q 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN2R203NC,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:700mW€42W

    阈值电压:2.3V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2230pF@15V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@22.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP19NM50N 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STP19NM50N 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP19NM50N

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1000pF@50V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@7A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP19NM50N 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STP19NM50N 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP19NM50N

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1000pF@50V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@7A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDFP03N150CG 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDFP03N150CG 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDFP03N150CG

    工作温度:150℃

    功率:2W€32W

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:650pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5Ω@1A,10V

    漏源电压:1500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN2R203NC,L1Q 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN2R203NC,L1Q 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN2R203NC,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:700mW€42W

    阈值电压:2.3V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2230pF@15V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@22.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW19NM50N 起订450个装
    ST Mosfet场效应管 STW19NM50N 起订450个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW19NM50N

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1000pF@50V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@7A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN2R203NC,L1Q 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN2R203NC,L1Q 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN2R203NC,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:700mW€42W

    阈值电压:2.3V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2230pF@15V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@22.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDTL03N150CG 起订173个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDTL03N150CG 起订173个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":17100,"23+":810,"MI+":540}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDTL03N150CG

    工作温度:150℃

    功率:2.5W€140W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:650pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5Ω@1.25A,10V

    漏源电压:1500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW19NM50N 起订30个装
    ST Mosfet场效应管 STW19NM50N 起订30个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW19NM50N

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1000pF@50V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@7A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDUL03N150CG 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDUL03N150CG 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDUL03N150CG

    工作温度:150℃

    功率:3W€50W

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:650pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5Ω@1.25A,10V

    漏源电压:1500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP19NM50N 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STP19NM50N 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP19NM50N

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1000pF@50V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@7A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK650A60F,S4X 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK650A60F,S4X 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK650A60F,S4X

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1.16mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1320pF@300V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP19NM50N 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STP19NM50N 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP19NM50N

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1000pF@50V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@7A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP19NM50N 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STP19NM50N 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP19NM50N

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1000pF@50V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@7A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDUL03N150CG 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDUL03N150CG 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDUL03N150CG

    工作温度:150℃

    功率:3W€50W

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:650pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5Ω@1.25A,10V

    漏源电压:1500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDTL03N150CG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDTL03N150CG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":30,"23+":1800}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDTL03N150CG

    工作温度:150℃

    功率:2.5W€140W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:650pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5Ω@1.25A,10V

    漏源电压:1500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN2R203NC,L1Q 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN2R203NC,L1Q 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN2R203NC,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:700mW€42W

    阈值电压:2.3V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2230pF@15V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@22.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDTL03N150CG 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDTL03N150CG 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":17100,"23+":810,"MI+":540}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDTL03N150CG

    工作温度:150℃

    功率:2.5W€140W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:650pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5Ω@1.25A,10V

    漏源电压:1500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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