品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPCA8026(TE12L,Q,M
工作温度:150℃
功率:1.6W€45W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4200pF@10V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@23A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002
工作温度:150℃
功率:225mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RK7002AT116
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0855DPB-00#J5
工作温度:150℃
功率:60W
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2550pF@10V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN11006NL,LQ
工作温度:150℃
功率:700mW€30W
阈值电压:2.5V@200µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@30V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:11.4mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK210V65Z,LQ
工作温度:150℃
功率:130W
阈值电压:4V@610µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@300V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK210V65Z,LQ
工作温度:150℃
功率:130W
阈值电压:4V@610µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@300V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RK7002BMT116
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:2.3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@250mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN11003NL,LQ
工作温度:150℃
功率:700mW€19W
阈值电压:2.3V@100µA
栅极电荷:7.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@5.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW36NM60ND
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:80.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2785pF@50V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GKI07113
工作温度:150℃
功率:3.1W€77W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4040pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@27.2A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK65E10N1,S1X
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5400pF@50V
连续漏极电流:148A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@32.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RUS100N02TB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:24nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K504NU,LF
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK10J80E,S1E
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH6400ENH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€57W
阈值电压:4V@300µA
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@100V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@6.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RCX700N20
工作温度:150℃
功率:2.23W€40W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:散装
输入电容:6900pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:42.7mΩ@35A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G300GNTB
工作温度:150℃
功率:3W€35W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@20V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P03BBHTL1
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@50V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@35A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E100BNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:10.4mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSF014N03TL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD8N60DM2
工作温度:150℃
功率:85W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTF016N05TL
工作温度:150℃
功率:320mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@1.6A,4.5V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RUC002N05HZGT116
工作温度:150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP57N65M5
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4200pF@100V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@21A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK10P60W,RVQ
工作温度:150℃
功率:80W
阈值电压:3.7V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:430mΩ@4.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK7E80W,S1X
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@280µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@300V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@3.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138WT106
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:2.3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15pF@30V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@310mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RMW200N03TB
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1780pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6443-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@3A,10V
漏源电压:35V
包装清单:商品主体 * 1
库存: