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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R203NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€44W
阈值电压：2.3V@300µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@23.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6547KNZ4C13
工作温度：150℃
功率：480W
阈值电压：5V@1.72mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@25.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6547KNZ4C13
工作温度：150℃
功率：480W
阈值电压：5V@1.72mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@25.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH3R203NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€44W
阈值电压：2.3V@300µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@23.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6547KNZ4C13
工作温度：150℃
功率：480W
阈值电压：5V@1.72mA
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包装方式：管件
输入电容：4100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@25.8A，10V
漏源电压：650V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH3R203NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€44W
阈值电压：2.3V@300µA
栅极电荷：21nC@10V
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输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@23.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
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规格型号(MPN)：R6547KNZ4C13
工作温度：150℃
功率：480W
阈值电压：5V@1.72mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@25.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6047ENZ4C13
工作温度：150℃
功率：481W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3850pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@25.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6547KNZ4C13
工作温度：150℃
功率：480W
阈值电压：5V@1.72mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@25.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH3R203NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€44W
阈值电压：2.3V@300µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@23.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6047ENZ4C13
工作温度：150℃
功率：481W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3850pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@25.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R203NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€44W
阈值电压：2.3V@300µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@23.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6547KNZ4C13
工作温度：150℃
功率：480W
阈值电压：5V@1.72mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@25.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R203NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€44W
阈值电压：2.3V@300µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@23.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R203NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€44W
阈值电压：2.3V@300µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@23.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6047ENZ4C13
工作温度：150℃
功率：481W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3850pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@25.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6547KNZ4C13
工作温度：150℃
功率：480W
阈值电压：5V@1.72mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@25.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R203NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€44W
阈值电压：2.3V@300µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@23.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6547KNZ4C13
工作温度：150℃
功率：480W
阈值电压：5V@1.72mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@25.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6547KNZ4C13
工作温度：150℃
功率：480W
阈值电压：5V@1.72mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@25.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6547KNZ4C13
工作温度：150℃
功率：480W
阈值电压：5V@1.72mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@25.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6547KNZ4C13
工作温度：150℃
功率：480W
阈值电压：5V@1.72mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@25.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R203NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€44W
阈值电压：2.3V@300µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@23.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R203NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€44W
阈值电压：2.3V@300µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@23.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6547KNZ4C13
工作温度：150℃
功率：480W
阈值电压：5V@1.72mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@25.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6047ENZ4C13
导通电阻：72mΩ@25.8A，10V
工作温度：150℃
功率：481W
栅极电荷：145nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：47A
包装方式：管件
输入电容：3850pF@25V
阈值电压：4V@1mA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R203NL，L1Q
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
类型：N沟道
功率：1.6W€44W
输入电容：2100pF@15V
导通电阻：3.2mΩ@23.5A，10V
栅极电荷：21nC@10V
阈值电压：2.3V@300µA
连续漏极电流：47A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6547KNZ4C13
工作温度：150℃
功率：480W
阈值电压：5V@1.72mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@25.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6547KNZ4C13
工作温度：150℃
功率：480W
阈值电压：5V@1.72mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@25.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6047ENZ4C13
工作温度：150℃
功率：481W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3850pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@25.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
