采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G300GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3G100GNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：615pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GKI04048
工作温度：150℃
功率：3.1W€59W
阈值电压：2.5V@650µA
栅极电荷：35.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@35.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G300GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G300GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DKI04103
工作温度：150℃
功率：32W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@25V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@18.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K514NU，LF
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SKI04033
工作温度：150℃
功率：116W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：63.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3910pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@58.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G120MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：16.2mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DKI04103
工作温度：150℃
功率：32W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@25V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@18.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G120MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：16.2mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G120MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：16.2mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3G100GNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：615pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G120MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：16.2mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"9999"：2476}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP207-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2710pF@20V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@33A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G120MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：16.2mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G120MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：16.2mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G120MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：16.2mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G120MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：16.2mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0412N-S19-AY
工作温度：150℃
功率：1.5W€119W
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5550pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G300GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：56.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K217FE，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.1nC@4.2V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@1A，8V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G260MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2988pF@20V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@26A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6G120BGTB1
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4240pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.34mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G300GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G120MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：16.2mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G180MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€30W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@20V
连续漏极电流：18A€80A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G150MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@20V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：10.6mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G120MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：16.2mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G300GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：56.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
