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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN11006NL，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€30W
阈值电压：2.5V@200µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@30V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：446}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4125
工作温度：150℃
功率：2.5W€170W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：托盘
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：5500，"18+"：9900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1445-H
工作温度：150℃
功率：1W€35W
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1030pF@20V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：111mΩ@8.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1445-TL-H
工作温度：150℃
功率：1W€35W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@20V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：111mΩ@8.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17A80W，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@850µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2050pF@300V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF21N65M5
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1950pF@100V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB23NM50N
工作温度：150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@8.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：700，"17+"：41164}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1445-TL-H
工作温度：150℃
功率：1W€35W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@20V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：111mΩ@8.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17E80W，S1X
工作温度：150℃
功率：180W
阈值电压：4V@850µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2050pF@300V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1445-TL-H
工作温度：150℃
功率：1W€35W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@20V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：111mΩ@8.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH11006NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€34W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@30V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB18NM80
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：295mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1600ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW20NK50Z
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：119nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@8.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1600ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：700，"17+"：41164}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1445-TL-H
工作温度：150℃
功率：1W€35W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@20V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：111mΩ@8.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW20NK50Z
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：119nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@8.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1600ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN11006NL，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€30W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@30V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW20NK50Z
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：119nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@8.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN11006NL，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€30W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@30V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW20NK50Z
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：119nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@8.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW20NK50Z
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：119nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@8.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17A80W，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@850µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2050pF@300V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1600ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1600ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：446}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4125
工作温度：150℃
功率：2.5W€170W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：托盘
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW20NK50Z
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：119nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@8.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB23NM50N
工作温度：150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@8.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB23NM50N
工作温度：150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@8.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
