品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K36FS,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.23nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:630mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK005N03T146
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:4nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:580mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK005N03T146
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:4nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:580mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHK005N03FRAT146
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@500mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK005N03T146
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:4nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:580mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK005N03FRAT146
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:4nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:580mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK005N03FRAT146
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:4nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:580mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHK005N03FRAT146
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@500mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK005N03T146
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:4nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:580mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK005N03FRAT146
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:4nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:580mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K36MFV,L3F
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.23nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:630mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K36MFV,L3F
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.23nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:630mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMFTN170
工作温度:150℃
功率:300mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK005N03T146
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:4nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:580mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K36MFV,L3F
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.23nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:630mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHK005N03FRAT146
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@500mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK005N03FRAT146
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:4nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:580mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K36MFV,L3F
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.23nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:630mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RDR005N25TL
工作温度:150℃
功率:540mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:8.8Ω@250mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RDR005N25TL
工作温度:150℃
功率:540mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:8.8Ω@250mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K36MFV,L3F
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.23nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:630mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RDR005N25TL
工作温度:150℃
功率:540mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:8.8Ω@250mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK005N03FRAT146
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:4nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:580mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K36TU,LF
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.23nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:630mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK005N03FRAT146
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:4nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:580mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHK005N03FRAT146
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@500mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K36TU,LF
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.23nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:630mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK005N03T146
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:4nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:580mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K36MFV,L3F
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.23nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:630mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RDR005N25TL
工作温度:150℃
功率:540mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:8.8Ω@250mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存: