品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GKI10526
工作温度:150℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:2.5V@350µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1530pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:47.7mΩ@9.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004END3TL1
工作温度:150℃
功率:59W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004CNDTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP161A1265PR-G
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:1.4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4NK60Z
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4NK60ZFP
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW4N150
工作温度:150℃
功率:160W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:7Ω@2A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4NK60ZFP
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4N150
工作温度:150℃
功率:160W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:7Ω@2A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4NK60ZFP
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4N150
工作温度:150℃
功率:160W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:7Ω@2A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004ENDTL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD4NK60ZT4
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR040N03HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:475pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR040N03HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:475pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK1835-E
工作温度:150℃
功率:125W
包装方式:管件
输入电容:1700pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:7Ω@2A,15V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5E040TNTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:8.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:475pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K324R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004END3TL1
工作温度:150℃
功率:59W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4NK60ZFP
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K324R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR040N03HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:8.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:475pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":54340,"15+":11,"16+":349,"9999":600,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4198FS
工作温度:150℃
功率:2W€30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:360pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2.34Ω@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4NK60ZFP
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RVQ040N05TR
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:8.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:53mΩ@4A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW4N150
工作温度:150℃
功率:160W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:7Ω@2A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5E040TNTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:8.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:475pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RVQ040N05TR
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:8.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:53mΩ@4A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5E040TNTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:8.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:475pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4NK60ZFP
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: