采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：3835}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4141
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：5W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670 pF @ 20 V
连续漏极电流：10.8A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：13 毫欧 @ 10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ415EP-T1_GE3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：45W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：95 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000 pF @ 25 V
连续漏极电流：30A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：14 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ415EP-T1_GE3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：45W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000 pF @ 25 V
连续漏极电流：30A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：14 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4141
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.4W（Ta），69W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2775 pF @ 20 V
连续漏极电流：10.8A（Ta），50A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：12.3 毫欧 @ 12.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4141
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.4W（Ta），69W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2775 pF @ 20 V
连续漏极电流：10.8A（Ta），50A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：12.3 毫欧 @ 12.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4141
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.4W（Ta），69W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：50 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2775 pF @ 20 V
连续漏极电流：10.8A（Ta），50A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：12.3 毫欧 @ 12.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：145500，"MI+"：25000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4141
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.4W（Ta），69W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2775 pF @ 20 V
连续漏极电流：10.8A（Ta），50A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：12.3 毫欧 @ 12.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：145500，"MI+"：25000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4141
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.4W（Ta），69W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2775 pF @ 20 V
连续漏极电流：10.8A（Ta），50A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：12.3 毫欧 @ 12.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：3N163 TO-72 4L ROHS
功率：375mW
阈值电压：5V @ 10µA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：3.5 pF @ 15 V
连续漏极电流：50mA
类型：P 通道
导通电阻：250 欧姆 @ 100µA，20V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ415EP-T1_GE3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：45W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000 pF @ 25 V
连续漏极电流：30A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：14 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ415EP-T1_GE3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：45W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000 pF @ 25 V
连续漏极电流：30A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：14 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：4.2W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：38 nC @ 10 V
输入电容：970 pF @ 20 V
连续漏极电流：7.2A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：45 毫欧 @ 5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ415EP-T1_GE3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：45W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000 pF @ 25 V
连续漏极电流：30A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：14 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ415EP-T1_GE3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：45W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：95 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000 pF @ 25 V
连续漏极电流：30A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：14 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：4.2W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：38 nC @ 10 V
输入电容：970 pF @ 20 V
连续漏极电流：7.2A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：45 毫欧 @ 5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4141
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.4W（Ta），69W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2775 pF @ 20 V
连续漏极电流：10.8A（Ta），50A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：12.3 毫欧 @ 12.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ415EP-T1_GE3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：45W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：95 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000 pF @ 25 V
连续漏极电流：30A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：14 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4141
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.4W（Ta），69W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：50 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2775 pF @ 20 V
连续漏极电流：10.8A（Ta），50A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：12.3 毫欧 @ 12.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4141
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：5W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：49 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670 pF @ 20 V
连续漏极电流：10.8A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：13 毫欧 @ 10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4141
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.4W（Ta），69W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2775 pF @ 20 V
连续漏极电流：10.8A（Ta），50A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：12.3 毫欧 @ 12.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4141
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.4W（Ta），69W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2775 pF @ 20 V
连续漏极电流：10.8A（Ta），50A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：12.3 毫欧 @ 12.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4141
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.4W（Ta），69W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：50 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2775 pF @ 20 V
连续漏极电流：10.8A（Ta），50A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：12.3 毫欧 @ 12.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4141
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.4W（Ta），69W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：50 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2775 pF @ 20 V
连续漏极电流：10.8A（Ta），50A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：12.3 毫欧 @ 12.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：145500，"MI+"：25000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4141
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.4W（Ta），69W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2775 pF @ 20 V
连续漏极电流：10.8A（Ta），50A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：12.3 毫欧 @ 12.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ415EP-T1_GE3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：45W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000 pF @ 25 V
连续漏极电流：30A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：14 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ415EP-T1_GE3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：45W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：95 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000 pF @ 25 V
连续漏极电流：30A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：14 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ415EP-T1_GE3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：45W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：95 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000 pF @ 25 V
连续漏极电流：30A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：14 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：3N163 TO-72 4L ROHS
功率：375mW
阈值电压：5V @ 10µA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：3.5 pF @ 15 V
连续漏极电流：50mA
类型：P 通道
导通电阻：250 欧姆 @ 100µA，20V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4141
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：5W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：49 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670 pF @ 20 V
连续漏极电流：10.8A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：13 毫欧 @ 10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4141
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.4W（Ta），69W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2775 pF @ 20 V
连续漏极电流：10.8A（Ta），50A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：12.3 毫欧 @ 12.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
