品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":3835}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:5W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2670 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:13 毫欧 @ 10.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
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栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":145500,"MI+":25000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":145500,"MI+":25000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:4.2W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:38 nC @ 10 V
输入电容:970 pF @ 20 V
连续漏极电流:7.2A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:45 毫欧 @ 5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:4.2W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:38 nC @ 10 V
输入电容:970 pF @ 20 V
连续漏极电流:7.2A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:45 毫欧 @ 5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 10 V
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输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:5W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:49 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2670 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:13 毫欧 @ 10.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":145500,"MI+":25000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:5W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:49 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2670 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:13 毫欧 @ 10.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 10 V
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输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
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类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
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类型:P 通道
导通电阻:45 毫欧 @ 5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":3835}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:5W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2670 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:13 毫欧 @ 10.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
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类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:4.2W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:38 nC @ 10 V
输入电容:970 pF @ 20 V
连续漏极电流:7.2A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:45 毫欧 @ 5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7155DP-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:6.25W(Ta),104W(Tc)
阈值电压:2.3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:330 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12900 pF @ 20 V
连续漏极电流:31A(Ta),100A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:3.6 毫欧 @ 20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: