采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A08DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H032LDV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：11.9nC@10V
输入电容：683pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：2个N沟道
导通电阻：36mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：5.3nC@10V
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：105mΩ@10V，2.7A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：5.3nC@10V
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：105mΩ@10V，2.7A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：5.3nC@10V
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：105mΩ@10V，2.7A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：5.3nC@10V
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：105mΩ@10V，2.7A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：415pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：2个N沟道
导通电阻：68mΩ@10V，4A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：415pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：2个N沟道
导通电阻：68mΩ@10V，4A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：5.3nC@10V
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：105mΩ@10V，2.7A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：5.3nC@10V
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：105mΩ@10V，2.7A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：415pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：2个N沟道
导通电阻：68mΩ@10V，4A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：5.3nC@10V
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：105mΩ@10V，2.7A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：5.3nC@10V
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：105mΩ@10V，2.7A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4892
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：415pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：2个N沟道
导通电阻：68mΩ@10V，4A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
栅极电荷：5.3nC@10V
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：105mΩ@10V，2.7A
阈值电压：2.2V@250μA
功率：1.6W
漏源电压：100V
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：4A
阈值电压：2.8V@250μA
输入电容：415pF@50V
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：68mΩ@10V，4A
漏源电压：100V
功率：2W
栅极电荷：12nC@10V
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
栅极电荷：5.3nC@10V
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：105mΩ@10V，2.7A
阈值电压：2.2V@250μA
功率：1.6W
漏源电压：100V
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：4A
阈值电压：2.8V@250μA
输入电容：415pF@50V
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：68mΩ@10V，4A
漏源电压：100V
功率：2W
栅极电荷：12nC@10V
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
