采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT2004UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€12.5W
阈值电压：1.45V@250µA
栅极电荷：53.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@9A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT2004UFDF-7
栅极电荷：53.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14.1A
导通电阻：6mΩ@9A，10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：800mW€12.5W
漏源电压：24V
输入电容：1683pF@15V
阈值电压：1.45V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT61M5SPSW-13
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8306 pF @ 30 V
功率：2.7W（Ta），139W（Tc）
栅极电荷：130.6 nC @ 10 V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
漏源电压：60V
类型：N 通道
导通电阻：1.5 毫欧 @ 30A，10V
连续漏极电流：215A（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT61M5SPSW-13
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8306 pF @ 30 V
功率：2.7W（Ta），139W（Tc）
栅极电荷：130.6 nC @ 10 V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
漏源电压：60V
类型：N 通道
导通电阻：1.5 毫欧 @ 30A，10V
连续漏极电流：215A（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138TA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：50V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
阈值电压：1.5V @ 250µA
类型：N 通道
输入电容：50 pF @ 10 V
导通电阻：3.5 欧姆 @ 220mA，10V
功率：300mW（Ta）
ECCN：EAR99
连续漏极电流：200mA（Ta）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
