采购热线 400-661-9010
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML6401TR(UMW)
功率：1.3W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：15nC@5V
输入电容：830pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：50mΩ@4.5V，4.3A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML6402TR(UMW)
功率：1.3W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：633pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@4.5V，3.7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2070UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：118pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：44mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2070UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：118pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：44mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML6401TR(UMW)
功率：1.3W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：15nC@5V
输入电容：830pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：50mΩ@4.5V，4.3A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LP4101LT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：15.23nC@4.5V
输入电容：882.51pF@6V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：97.26pF@6V
导通电阻：69mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2070UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：118pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：44mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301
功率：1.25W
阈值电压：950mV@250μA
连续漏极电流：2.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：145mΩ@2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS2301MA
功率：1.25W
阈值电压：950mV@250μA
连续漏极电流：2.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：96mΩ@2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301
功率：1.25W
阈值电压：950mV@250μA
连续漏极电流：2.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：145mΩ@2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML6401TR(UMW)
功率：1.3W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：15nC@5V
输入电容：830pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：50mΩ@4.5V，4.3A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML6402TR(UMW)
功率：1.3W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：633pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@4.5V，3.7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2070UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：8.2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：118pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：44mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2070UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：118pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：44mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML6402TR(UMW)
功率：1.3W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：633pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@4.5V，3.7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2070UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：118pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：44mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML6402TR(UMW)
功率：1.3W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：633pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@4.5V，3.7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML6402TR(UMW)
功率：1.3W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：633pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@4.5V，3.7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML6401TR(UMW)
功率：1.3W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：15nC@5V
输入电容：830pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：50mΩ@4.5V，4.3A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML6402TR(UMW)
功率：1.3W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：633pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@4.5V，3.7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LP4101LT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：15.23nC@4.5V
输入电容：882.51pF@6V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：97.26pF@6V
导通电阻：69mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2070UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：118pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：44mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS2301MA
功率：1.25W
阈值电压：950mV@250μA
连续漏极电流：2.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：96mΩ@2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS2301MA
功率：1.25W
阈值电压：950mV@250μA
连续漏极电流：2.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：96mΩ@2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS2301AMA
功率：1.25W
阈值电压：950mV@250μA
连续漏极电流：2.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：195mΩ@2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BML6401
功率：1.3W
阈值电压：950mV@250μA
输入电容：830pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：125pF@10V
导通电阻：50mΩ@4.5V，4.3A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2070UQ-7
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：44mΩ@2A，4.5V
阈值电压：950mV@250μA
连续漏极电流：4.6A
输入电容：118pF@10V
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
漏源电压：20V
栅极电荷：8.2nC@8V
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2070UQ-7
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：44mΩ@2A，4.5V
阈值电压：950mV@250μA
连续漏极电流：4.6A
输入电容：118pF@10V
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
漏源电压：20V
栅极电荷：8.2nC@8V
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BML6401
功率：1.3W
阈值电压：950mV@250μA
输入电容：830pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：125pF@10V
导通电阻：50mΩ@4.5V，4.3A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BML6401
功率：1.3W
阈值电压：950mV@250μA
输入电容：830pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：125pF@10V
导通电阻：50mΩ@4.5V，4.3A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
