品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS308PEH6327
功率:500mW
阈值电压:2V@11μA
连续漏极电流:2A
类型:1个P沟道
导通电阻:80mΩ@10V,2A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS332P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@4.5V,1.1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G29
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:12.5nC@10V
输入电容:1.151nF@10V
连续漏极电流:6A
类型:1个P沟道
导通电阻:30mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT750P10D5
阈值电压:2.5V
连续漏极电流:24A
类型:1个P沟道
导通电阻:50mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G170P06M
阈值电压:3.5V
连续漏极电流:65A
类型:1个P沟道
导通电阻:12mΩ@10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3481C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.7V@250μA
栅极电荷:6nC@10V
输入电容:720pF@15V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个P沟道
反向传输电容:70pF@15V
导通电阻:37mΩ@10V,4.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G200P04D3
阈值电压:2.5V
连续漏极电流:20A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ@10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPCA8123,L1Q
功率:84W
阈值电压:3V@1mA
连续漏极电流:50A
类型:1个P沟道
导通电阻:14.9mΩ@6V,25A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):3401L
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:4.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:50mΩ@10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D7LW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:2.6V@250μA
栅极电荷:360pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19pF@15V
连续漏极电流:380mA
类型:1个P沟道
导通电阻:900mΩ@420mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35CT,L3F(T
功率:100mW
阈值电压:1V@1mA
连续漏极电流:100mA
类型:1个P沟道
导通电阻:8Ω@4V,50mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6637
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€57W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.37nF@20V
连续漏极电流:13A€55A
类型:1个P沟道
导通电阻:11.6mΩ@10V,14A
漏源电压:35V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD45P04-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€63W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:19nC@4.5V
输入电容:2.03nF@25V
连续漏极电流:45A€8.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:17mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):3415A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6Y33-60P,115
工作温度:-55℃~+175℃
功率:110W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:69nC@10V
输入电容:2.59nF@30V
连续漏极电流:30A
类型:1个P沟道
导通电阻:33mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS332P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@4.5V,1.1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML5203TR(UMW)
功率:300mW
阈值电压:3V@250μA
连续漏极电流:3A
类型:1个P沟道
导通电阻:85mΩ@10V,4.1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRR040P03FRATL
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@10V,4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3021SSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.799nF@15V
连续漏极电流:39A€10.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:15mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT065P06D5
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:103A
类型:1个P沟道
导通电阻:5.9mΩ@10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G75P04D5
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:70A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.7mΩ@10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G1K6P15K
阈值电压:3.5V
连续漏极电流:24A
类型:1个P沟道
导通电阻:132mΩ@10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN338P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:451pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:115mΩ@4.5V,1.6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G170P03D3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:35W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:35nC@10V
输入电容:1.805nF@15V
连续漏极电流:20A
类型:1个P沟道
反向传输电容:207pF@15V
导通电阻:12mΩ@10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP170PH6327
功率:1.8W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:1.9A
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@10V,1.9A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@10V,1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84
功率:225mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:1.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:73pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:8Ω@150mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2110UW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:490mW
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:6nC@4.5V
输入电容:443pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE8405_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.3V@250μA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
输入电容:137pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:1个P沟道
导通电阻:390mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D6UFB4-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:510mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:800pC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46.1pF@10V
连续漏极电流:580mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: