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    42nC@10V 72nC@4.5V 33nC@10V 19.4nC@10V 5.5nC@10V 14.5nC@10V 134nC@10V 700pC@4.5V 39nC@10V 20nC@4.5V 3nC@4.5V 92nC@10V 19.5nC@10V 9.4nC@10V 12nC@10V 38nC@10V 10.5nC@5V 24nC@5V 13nC@10V 25.2nC@10V 22nC@10V 130nC@10V 39nC@5V 30nC@10V 40nC@10V 106nC@10V 13nC@4.5V 4.1nC@4.5V 4.1nC@5V 95nC@10V 5.2nC@4.5V 13.7nC@10V 108nC@10V 10.2nC@4.5V 8.3nC@10V 15.8nC@10V 6.5nC@4.5V 8.8nC@4.5V 7.7nC@10V 9nC@10V 15.23nC@4.5V 14nC@4.5V 350pC@5V 19nC@4.5V 110nC@4.5V 5.5nC@4.5V 69nC@10V 15nC@4.5V 6.4nC@10V 12nC@2.5V 34nC@10V 45nC 6nC@10V 4.3nC@10V 23nC@10V 10nC@4.5V 60nC@4.5V 28nC@10V 4.8nC@4.5V 18nC@10V 23nC@4.5V 4.7nC@4.5V 91nC@10V 35nC 42nC@5V 100nC@4.5V 12nC@4.5V 3.45nC@10V 17nC@4.5V 3.9nC@4.5V 29.8nC@10V 52nC@10V 37nC@10V 4nC@4.5V 156nC@10V 8nC@10V 34nC@4.5V 3.5nC@10V 67nC@10V 11nC@10V 1.1nC@4.5V 9.3nC@4.5V 65.1nC@4.5V 6nC@4.5V 135nC@10V 75nC@10V 140nC@10V 97nC@10V 15nC@10V 17.2nC@10V 6.2nC@4.5V 8.2nC@10V 720pC@4.5V 105nC@10V 2.2nC@4.5V 51nC@10V 5.4nC@10V 8.7nC@4.5V 15nC@5V 18.1nC@10V 300pC@4.5V 35nC@4.5V 6.3nC@4.5V 19.5nC@4.5V 25nC@10V 160nC@10V 120nC@10V 66nC@10V 19nC@10V 3.1nC@4.5V 14.5nC@4.5V 180nC@10V 124nC@10V 17nC@10V 56nC@10V 5nC@4.5V 24.5nC@10V 20nC@10V 18nC@4.5V 7.7nC@4.5V 27nC@10V 59nC@10V 48nC@4.5V 44nC@10V 234nC@10V 30nC@5V 11nC@4.5V 24.8nC@10V 6.9nC@4.5V 10nC@10V 590pC@10V 36nC 1.7nC@15V 115nC@10V 27nC@4.5V 21nC@10V 2.1nC@4.5V 350nC@10V 360pC@4.5V 46nC@10V 46nC 86nC@10V 1.3nC@5V 7.6nC@4.5V 51nC 61nC@10V 157nC@10V 63nC@10V 56nC@4.5V 47nC@10V 42nC 70nC@10V 2nC@4.5V 7nC@4.5V 1.4nC@4.5V 133nC@10V 53.1nC@10V 12.5nC@10V 40nC@4.5V 68nC@10V 49nC@10V 1.6nC@4.5V 35nC@10V 45nC@10V 8.5nC@4.5V 9nC@4.5V 6.8nC@4.5V 12nC@5V 326nC@10V 50nC@10V 1.5nC@4.5V 7.2nC@10V 9.1nC@4.5V 29nC@10V 9.3nC@10V 3.4nC@10V 71nC@10V 43nC@10V 16nC@10V 24nC@10V 5.4nC@4.5V 16nC@4.5V 110nC@10V 36nC@4.5V 9.8nC@10V 11.6nC@10V 7.5nC@10V 5.2nC@5V 24.1nC@10V 5.4nC@5V 26.1nC@10V 800pC@8V 4nC@10V 8.2nC@8V 345nC@10V 13.5nC 2.7nC@4V 7.3nC@10V 55nC@4.5V 29.1nC@4.5V 47.6nC@5V 16.5nC@4.5V 2.3nC@5V 15.5nC@10V 17.3nC@10V 46nC@4.5V 2.5nC@10V 116nC@4.5V 141nC@10V 24nC@4.5V 9.4nC 224nC@10V 4.4nC@5V 23.9nC@10V 16.3nC@4.5V 4.3nC@5V 22nC@4.5V 111.7nC@10V 14.9nC@4.5V 168nC@8V 65nC@5V 52.2nC@10V 68nC@4.5V 1.55nC@10V 11.2nC@4.5 52nC@-10V 9.5nC 61nC@Vgs=10V 6.5nC 46.6nC 26.4nC 1.25nC 1.6nC 3.3nC 81.3nC@10V 20nC@4V 5.5nC 1.77nC@10V 31.2nC@10V 42.2nC@Vgs=10V 14.2nC@4.5V
    类型: 1个P沟道
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:4000+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    数量/起订
    操作
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS308PEH6327 起订15个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS308PEH6327 起订15个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS308PEH6327

    功率:500mW

    阈值电压:2V@11μA

    连续漏极电流:2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:80mΩ@10V,2A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS332P 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS332P 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS332P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:300mΩ@4.5V,1.1A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G29 起订105个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G29 起订105个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G29

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:12.5nC@10V

    输入电容:1.151nF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:30mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT750P10D5 起订13个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT750P10D5 起订13个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT750P10D5

    阈值电压:2.5V

    连续漏极电流:24A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:50mΩ@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G170P06M 起订8个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G170P06M 起订8个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G170P06M

    阈值电压:3.5V

    连续漏极电流:65A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:12mΩ@10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3481C 起订43个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3481C 起订43个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3481C

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.7V@250μA

    栅极电荷:6nC@10V

    输入电容:720pF@15V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:70pF@15V

    导通电阻:37mΩ@10V,4.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G200P04D3 起订14个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G200P04D3 起订14个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G200P04D3

    阈值电压:2.5V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:13mΩ@10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPCA8123,L1Q 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPCA8123,L1Q 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPCA8123,L1Q

    功率:84W

    阈值电压:3V@1mA

    连续漏极电流:50A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:14.9mΩ@6V,25A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 3401L 起订136个装
    谷峰 Mosfet场效应管 3401L 起订136个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):3401L

    阈值电压:1V@250μA

    连续漏极电流:4.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:50mΩ@10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP31D7LW-13 起订55个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP31D7LW-13 起订55个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP31D7LW-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:290mW

    阈值电压:2.6V@250μA

    栅极电荷:360pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:19pF@15V

    连续漏极电流:380mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:900mΩ@420mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J35CT,L3F(T 起订23个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J35CT,L3F(T 起订23个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J35CT,L3F(T

    功率:100mW

    阈值电压:1V@1mA

    连续漏极电流:100mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:8Ω@4V,50mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD6637 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD6637 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD6637

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€57W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.37nF@20V

    连续漏极电流:13A€55A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:11.6mΩ@10V,14A

    漏源电压:35V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD45P04-AU_L2_000A1 起订12个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD45P04-AU_L2_000A1 起订12个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD45P04-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W€63W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:19nC@4.5V

    输入电容:2.03nF@25V

    连续漏极电流:45A€8.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:17mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 3415A 起订53个装
    谷峰 Mosfet场效应管 3415A 起订53个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):3415A

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:950pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:45mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6Y33-60P,115 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6Y33-60P,115 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6Y33-60P,115

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:110W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:69nC@10V

    输入电容:2.59nF@30V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:33mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS332P 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS332P 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS332P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:300mΩ@4.5V,1.1A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 IRLML5203TR(UMW) 起订51个装
    UMW Mosfet场效应管 IRLML5203TR(UMW) 起订51个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML5203TR(UMW)

    功率:300mW

    阈值电压:3V@250μA

    连续漏极电流:3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:85mΩ@10V,4.1A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RRR040P03FRATL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RRR040P03FRATL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RRR040P03FRATL

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    连续漏极电流:4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:45mΩ@10V,4A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3021SSS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3021SSS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3021SSS-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.799nF@15V

    连续漏极电流:39A€10.4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:15mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT065P06D5 起订2个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT065P06D5 起订2个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT065P06D5

    阈值电压:2.5V

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:103A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:5.9mΩ@10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G75P04D5 起订2个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G75P04D5 起订2个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G75P04D5

    阈值电压:2.5V

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:70A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4.7mΩ@10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G1K6P15K 起订4个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G1K6P15K 起订4个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G1K6P15K

    阈值电压:3.5V

    连续漏极电流:24A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:132mΩ@10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN338P 起订9个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN338P 起订9个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN338P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:451pF@10V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:115mΩ@4.5V,1.6A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G170P03D3 起订36个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G170P03D3 起订36个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G170P03D3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:35W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:35nC@10V

    输入电容:1.805nF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:207pF@15V

    导通电阻:12mΩ@10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP170PH6327 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP170PH6327 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP170PH6327

    功率:1.8W

    阈值电压:4V@250μA

    连续漏极电流:1.9A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:300mΩ@10V,1.9A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS352AP 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS352AP 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS352AP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@15V

    连续漏极电流:900mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:300mΩ@10V,1A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 BSS84 起订35个装
    onsemi Mosfet场效应管 BSS84 起订35个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84

    功率:225mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:1.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:73pF@25V

    连续漏极电流:130mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:8Ω@150mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2110UW-13 起订21个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2110UW-13 起订21个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2110UW-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:490mW

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:6nC@4.5V

    输入电容:443pF@6V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:100mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8405_R1_00001 起订48个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8405_R1_00001 起订48个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE8405_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.3V@250μA

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    输入电容:137pF@15V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:390mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D6UFB4-7B 起订22个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D6UFB4-7B 起订22个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP21D6UFB4-7B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:510mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:800pC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46.1pF@10V

    连续漏极电流:580mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:1Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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