采购热线 400-661-9010
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML5203TR(UMW)
功率：300mW
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：85mΩ@10V，4.1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5614P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：759pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@10V，3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1K1P06LL
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：85mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRQ030P03HZGTR
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：125mΩ@1.5A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E030RPTL
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：5.2nC@5V
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E030RPTL
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：5.2nC@5V
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5614P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：759pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@10V，3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1K1P06LL
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：85mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML5203TR(UMW)
功率：300mW
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：85mΩ@10V，4.1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5614P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：759pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@10V，3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRQ030P03HZGTR
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：125mΩ@1.5A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1K1P06LL
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：85mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5614P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：759pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@10V，3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5614P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：759pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@10V，3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW3P06A-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW3P06A-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5614P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：759pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@10V，3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW3P06A-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM2006-6/TR
功率：1.45W
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：120mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS215P-JSM
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS215P-JSM
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS215P-JSM
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LPB8917DT0AG
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：750mΩ
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM2006-6/TR
功率：1.45W
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：120mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1K1P06LL
阈值电压：2.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：85mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5614P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：759pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@10V，3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRQ030P03HZGTR
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：125mΩ@1.5A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1K1P06LL
阈值电压：2.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：85mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301DS-ES
功率：1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：3.3nC
输入电容：405pF
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：55pF
导通电阻：57mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301DS-ES
功率：1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：3.3nC
输入电容：405pF
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：55pF
导通电阻：57mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
