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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD068P03L3G
功率：100W
阈值电压：2V@150μA
连续漏极电流：70A
类型：1个P沟道
导通电阻：6.8mΩ@10V，70A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：25P06
工作温度：-55℃~+150℃
功率：100W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：37nC@10V
输入电容：3.384nF@30V
连续漏极电流：25A
类型：1个P沟道
导通电阻：31mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD068P03L3G
功率：100W
阈值电压：2V@150μA
连续漏极电流：70A
类型：1个P沟道
导通电阻：6.8mΩ@10V，70A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：25P06
工作温度：-55℃~+150℃
功率：100W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：37nC@10V
输入电容：3.384nF@30V
连续漏极电流：25A
类型：1个P沟道
导通电阻：31mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G700P06T
功率：100W
阈值电压：2.5V
连续漏极电流：25A
类型：1个P沟道
导通电阻：58mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD068P03L3G
功率：100W
阈值电压：2V@150μA
连续漏极电流：70A
类型：1个P沟道
导通电阻：6.8mΩ@10V，70A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD068P03L3G
功率：100W
阈值电压：2V@150μA
连续漏极电流：70A
类型：1个P沟道
导通电阻：6.8mΩ@10V，70A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD068P03L3G
功率：100W
阈值电压：2V@150μA
连续漏极电流：70A
类型：1个P沟道
导通电阻：6.8mΩ@10V，70A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD068P03L3G
功率：100W
阈值电压：2V@150μA
连续漏极电流：70A
类型：1个P沟道
导通电阻：6.8mΩ@10V，70A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD068P03L3G
功率：100W
阈值电压：2V@150μA
连续漏极电流：70A
类型：1个P沟道
导通电阻：6.8mΩ@10V，70A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：25P06
工作温度：-55℃~+150℃
功率：100W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：37nC@10V
输入电容：3.384nF@30V
连续漏极电流：25A
类型：1个P沟道
导通电阻：31mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD068P03L3G
功率：100W
阈值电压：2V@150μA
连续漏极电流：70A
类型：1个P沟道
导通电阻：6.8mΩ@10V，70A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G700P06T
功率：100W
阈值电压：2.5V
连续漏极电流：25A
类型：1个P沟道
导通电阻：58mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G700P06T
功率：100W
阈值电压：2.5V
连续漏极电流：25A
类型：1个P沟道
导通电阻：58mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD068P03L3G
漏源电压：30V
连续漏极电流：70A
导通电阻：6.8mΩ@10V，70A
功率：100W
阈值电压：2V@150μA
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD068P03L3G
漏源电压：30V
连续漏极电流：70A
导通电阻：6.8mΩ@10V，70A
功率：100W
阈值电压：2V@150μA
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：25P06
连续漏极电流：25A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：100W
输入电容：3.384nF@30V
类型：1个P沟道
漏源电压：60V
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：37nC@10V
导通电阻：31mΩ
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：25P06
工作温度：-55℃~+150℃
功率：100W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：37nC@10V
输入电容：3.384nF@30V
连续漏极电流：25A
类型：1个P沟道
导通电阻：31mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：25P06
工作温度：-55℃~+150℃
功率：100W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：37nC@10V
输入电容：3.384nF@30V
连续漏极电流：25A
类型：1个P沟道
导通电阻：31mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S06M3L(T6L1，NQ
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.76nF@10V
连续漏极电流：60A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S06M3L(T6L1，NQ
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.76nF@10V
连续漏极电流：60A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S06M3L(T6L1，NQ
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.76nF@10V
连续漏极电流：60A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：25P06
工作温度：-55℃~+150℃
功率：100W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：37nC@10V
输入电容：3.384nF@30V
连续漏极电流：25A
类型：1个P沟道
导通电阻：31mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G700P06T
功率：100W
阈值电压：2.5V
连续漏极电流：25A
类型：1个P沟道
导通电阻：58mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD068P03L3G
功率：100W
阈值电压：2V@150μA
连续漏极电流：70A
类型：1个P沟道
导通电阻：6.8mΩ@10V，70A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S06M3L(T6L1，NQ
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.76nF@10V
连续漏极电流：60A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G700P06T
功率：100W
阈值电压：2.5V
连续漏极电流：25A
类型：1个P沟道
导通电阻：58mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S06M3L(T6L1，NQ
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.76nF@10V
栅极电荷：156nC@10V
阈值电压：3V@1mA
导通电阻：11.2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
连续漏极电流：60A
功率：100W
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S06M3L(T6L1，NQ
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.76nF@10V
栅极电荷：156nC@10V
阈值电压：3V@1mA
导通电阻：11.2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
连续漏极电流：60A
功率：100W
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
