品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:3.5nC@10V
输入电容:141pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1Ω@10V,600mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:3.5nC@10V
输入电容:141pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1Ω@10V,600mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:3.5nC@10V
输入电容:141pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1Ω@10V,600mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:3.5nC@10V
输入电容:141pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1Ω@10V,600mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:3.5nC@10V
输入电容:141pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1Ω@10V,600mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:3.5nC@10V
输入电容:141pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1Ω@10V,600mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:1Ω@10V,600mA
功率:625mW
栅极电荷:3.5nC@10V
类型:1个P沟道
连续漏极电流:600mA
漏源电压:100V
输入电容:141pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:26.9nC@10V
输入电容:1.055nF@50V
连续漏极电流:2.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:150mΩ@10V,2.8A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:1.8nC@5V
输入电容:141pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1Ω@600mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
阈值电压:4V@250μA
导通电阻:1Ω@600mA,10V
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:1.8nC@5V
功率:625mW
类型:1个P沟道
连续漏极电流:600mA
漏源电压:100V
输入电容:141pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存: