品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT750P10D5
阈值电压:2.5V
连续漏极电流:24A
类型:1个P沟道
导通电阻:50mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD04P10PLG
功率:38W
阈值电压:2V@380μA
连续漏极电流:4.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:850mΩ@10V,3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT400P10K
阈值电压:2.5V
连续漏极电流:35A
类型:1个P沟道
导通电阻:29mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20P10KE
工作温度:-55℃~+150℃
功率:69W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
输入电容:3.354nF@50V
连续漏极电流:20A
类型:1个P沟道
导通电阻:94mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT5P10TF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个P沟道
导通电阻:1.05Ω@10V,500mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJW3P10A_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.419nF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:210mΩ@2.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G12P10TE
工作温度:-55℃~+150℃
功率:44.6W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:170mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT500P10K
阈值电压:2.5V
连续漏极电流:30A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9530PBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:88W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:860pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@7.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB22P10TM
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.75W€125W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:50nC@10V
输入电容:1.5nF@25V
连续漏极电流:22A
类型:1个P沟道
导通电阻:125mΩ@10V,11A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT5P10TF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个P沟道
导通电阻:1.05Ω@10V,500mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3471_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:8nC@10V
输入电容:448pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
导通电阻:650mΩ@900mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3471_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:8nC@10V
输入电容:448pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
导通电阻:650mΩ@900mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISP16DP10LMXTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.8W€5W
阈值电压:2V@1.037mA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:2.1nF@50V
连续漏极电流:2.1A€3.9A
类型:1个P沟道
导通电阻:160mΩ@10V,2.2A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9530PBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:88W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:860pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@7.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9530PBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:88W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:860pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@7.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:3.5nC@10V
输入电容:141pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1Ω@10V,600mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP322PH6327
功率:1.8W
阈值电压:1V@380μA
连续漏极电流:1A
类型:1个P沟道
导通电阻:800mΩ@10V,1A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9530PBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:88W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:860pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@7.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3471_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:8nC@10V
输入电容:448pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
导通电阻:650mΩ@900mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9530PBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:88W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:860pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@7.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISP20EP10LMXTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:4.2W€1.8W
阈值电压:2V@78μA
栅极电荷:3.5nC@10V
输入电容:170pF@50V
连续漏极电流:990mA€650mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@600mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9530PBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:88W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:860pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@7.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G12P10TE
工作温度:-55℃~+150℃
功率:44.6W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:170mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT5P10TF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个P沟道
导通电阻:1.05Ω@10V,500mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9530PBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:88W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:860pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@7.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB22P10TM
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.75W€125W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:50nC@10V
输入电容:1.5nF@25V
连续漏极电流:22A
类型:1个P沟道
导通电阻:125mΩ@10V,11A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:3.5nC@10V
输入电容:141pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1Ω@10V,600mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9530PBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:88W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:860pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@7.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT5P10TF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个P沟道
导通电阻:1.05Ω@10V,500mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: