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    品牌: VISHAY
    类型: 1个P沟道
    漏源电压: 60V
    阈值电压: 3V@250μA
    当前匹配商品:10+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订数3000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订数3000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:64mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 TP0610K-T1-E3 起订数21000个
    VISHAY Mosfet场效应管 TP0610K-T1-E3 起订数21000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:1.7nC@15V

    输入电容:23pF@25V

    连续漏极电流:185mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:6Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订数750个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订数750个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:64mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订数1500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订数1500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:64mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:64mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1021R-T1-GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1021R-T1-GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1021R-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:250mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:1.7nC@15V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23pF@25V

    连续漏极电流:190mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:5.4W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:190nC@10V

    连续漏极电流:14.4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:14.5mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7309DN-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7309DN-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:600pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:115mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 TP0610K-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 TP0610K-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:1.7nC@15V

    输入电容:23pF@25V

    连续漏极电流:185mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:6Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7309DN-T1-GE3 起订数1500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7309DN-T1-GE3 起订数1500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:600pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:115mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 TP0610K-T1-E3 起订数9000个
    VISHAY Mosfet场效应管 TP0610K-T1-E3 起订数9000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:1.7nC@15V

    输入电容:23pF@25V

    连续漏极电流:185mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:6Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2309CDS-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2309CDS-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1W€1.7W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    输入电容:210pF@30V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:345mΩ@10V,1.25A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9407BDY-T1-GE3 起订数5000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9407BDY-T1-GE3 起订数5000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.4W€5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:600pF@30V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:120mΩ@10V,3.2A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2309CDS-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2309CDS-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1W€1.7W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    输入电容:210pF@30V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:345mΩ@10V,1.25A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM110P06-07L-E3 起订800个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM110P06-07L-E3 起订800个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:2350

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):SUM110P06-07L-E3

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11.4nF@25V

    栅极电荷:345nC@10V

    漏源电压:60V

    阈值电压:3V@250μA

    连续漏极电流:110A

    功率:3.75W€375W

    导通电阻:6.9mΩ@30A,10V

    工作温度:-55℃~+175℃

    ECCN:EAR99

    类型:1个P沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2309CDS-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2309CDS-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    连续漏极电流:1.6A

    导通电阻:345mΩ@10V,1.25A

    功率:1W€1.7W

    输入电容:210pF@30V

    类型:1个P沟道

    漏源电压:60V

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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