品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:64mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:1.7nC@15V
输入电容:23pF@25V
连续漏极电流:185mA
类型:1个P沟道
导通电阻:6Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:64mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:64mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:64mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1021R-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:1.7nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23pF@25V
连续漏极电流:190mA
类型:1个P沟道
导通电阻:4Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:5.4W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:190nC@10V
连续漏极电流:14.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:14.5mΩ@14.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.2W€19.8W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:600pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:115mΩ@3.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:1.7nC@15V
输入电容:23pF@25V
连续漏极电流:185mA
类型:1个P沟道
导通电阻:6Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.2W€19.8W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:600pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:115mΩ@3.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:1.7nC@15V
输入电容:23pF@25V
连续漏极电流:185mA
类型:1个P沟道
导通电阻:6Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W€1.7W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:4.1nC@4.5V
输入电容:210pF@30V
连续漏极电流:1.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:345mΩ@10V,1.25A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W€5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:600pF@30V
连续漏极电流:4.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:120mΩ@10V,3.2A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W€1.7W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:4.1nC@4.5V
输入电容:210pF@30V
连续漏极电流:1.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:345mΩ@10V,1.25A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:2350
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SUM110P06-07L-E3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11.4nF@25V
栅极电荷:345nC@10V
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250μA
连续漏极电流:110A
功率:3.75W€375W
导通电阻:6.9mΩ@30A,10V
工作温度:-55℃~+175℃
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:1.6A
导通电阻:345mΩ@10V,1.25A
功率:1W€1.7W
输入电容:210pF@30V
类型:1个P沟道
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存: