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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401BDY-T1-E3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401BDY-T1-E3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:55nC@5V

    连续漏极电流:8.7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:14mΩ@10V,10.5A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401BDY-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401BDY-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:55nC@5V

    连续漏极电流:8.7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:14mΩ@10V,10.5A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订数3000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订数3000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:64mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 TP0610K-T1-E3 起订数21000个
    VISHAY Mosfet场效应管 TP0610K-T1-E3 起订数21000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:1.7nC@15V

    输入电容:23pF@25V

    连续漏极电流:185mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:6Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订数750个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订数750个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:64mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401BDY-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401BDY-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:55nC@5V

    连续漏极电流:8.7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:14mΩ@10V,10.5A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401BDY-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401BDY-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:55nC@5V

    连续漏极电流:8.7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:14mΩ@10V,10.5A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307BDS-T1-E3 起订数9000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307BDS-T1-E3 起订数9000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2307BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:78mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订数1500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订数1500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:64mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:64mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P10-43L-E3 起订数2000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P10-43L-E3 起订数2000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:8.3W€136W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:160nC@10V

    输入电容:4.6nF@50V

    连续漏极电流:37.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:43mΩ@9.2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1021R-T1-GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1021R-T1-GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1021R-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:250mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:1.7nC@15V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23pF@25V

    连续漏极电流:190mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401BDY-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401BDY-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    漏源电压:40V

    功率:1.5W

    连续漏极电流:8.7A

    导通电阻:14mΩ@10V,10.5A

    类型:1个P沟道

    栅极电荷:55nC@5V

    阈值电压:3V@250μA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401BDY-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401BDY-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:55nC@5V

    连续漏极电流:8.7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:14mΩ@10V,10.5A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7463DP-T1-E3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7463DP-T1-E3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:140nC@10V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:9.2mΩ@10V,18.6A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7113DN-T1-E3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7113DN-T1-E3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-50℃~+150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:55nC@10V

    输入电容:1.48nF@50V

    连续漏极电流:13.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:134mΩ@10V,4A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7463DP-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7463DP-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:140nC@10V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:9.2mΩ@10V,18.6A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:5.4W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:190nC@10V

    连续漏极电流:14.4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:14.5mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431BDY-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431BDY-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@5V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:30mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7469DP-T1-GE3 起订数9000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7469DP-T1-GE3 起订数9000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:5.2W

    阈值电压:3V@250μA

    连续漏极电流:28A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,10.2A

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9435BDY-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9435BDY-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:24nC@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:42mΩ@10V,5.7A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€5.6W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:65nC@10V

    输入电容:1.96nF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:18mΩ@10V,10A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431BDY-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431BDY-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@5V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:30mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401BDY-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401BDY-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:55nC@5V

    连续漏极电流:8.7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:14mΩ@10V,10.5A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7463DP-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7463DP-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:140nC@10V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:9.2mΩ@10V,18.6A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7135DP-T1-GE3 起订数1500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7135DP-T1-GE3 起订数1500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:250nC@10V

    输入电容:8.65nF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:3.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P08-25L-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P08-25L-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:8.3W€136W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:160nC@10V

    输入电容:4.7nF@40V

    连续漏极电流:50A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:25.2mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7421DN-T1-E3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7421DN-T1-E3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    连续漏极电流:6.4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:25mΩ@9.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9435BDY-T1-E3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9435BDY-T1-E3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:24nC@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:42mΩ@10V,5.7A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€5.6W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:65nC@10V

    输入电容:1.96nF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:18mΩ@10V,10A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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