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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA413CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：13.6W
阈值电压：1.3V@250μA
栅极电荷：16nC@4.5V
输入电容：1.35nF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：38mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9530PBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：88W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@7.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W€2.2W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：168nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.875nF@10V
连续漏极电流：12.5A€10.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.8mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W€2.2W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：168nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.875nF@10V
连续漏极电流：12.5A€10.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.8mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.5Ω@2.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：55nC@5V
连续漏极电流：8.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@10V，10.5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.5Ω@2.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：55nC@5V
连续漏极电流：8.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@10V，10.5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA411CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：13.6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@25V
连续漏极电流：6.46A
类型：1个P沟道
导通电阻：155mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA411CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：13.6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@25V
连续漏极电流：6.46A
类型：1个P沟道
导通电阻：155mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：64mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W€2.2W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：168nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.875nF@10V
连续漏极电流：12.5A€10.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.8mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W€2.2W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：168nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.875nF@10V
连续漏极电流：12.5A€10.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.8mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W€2.2W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：168nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.875nF@10V
连续漏极电流：12.5A€10.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.8mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA401CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：13.6W
阈值电压：1.3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@10V
连续漏极电流：3.75A
类型：1个P沟道
导通电阻：125mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：1.7nC@15V
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：185mA
类型：1个P沟道
导通电阻：6Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：17.9W€3.4W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：12A€10.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9530PBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：88W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@7.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9530PBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：88W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@7.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9530PBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：88W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@7.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW€1.6W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：112mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9530PBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：88W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@7.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA401CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：13.6W
阈值电压：1.3V@250μA
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@10V
连续漏极电流：3.75A
类型：1个P沟道
导通电阻：125mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：64mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9530PBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：88W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@7.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9530PBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：88W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@7.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：55nC@5V
连续漏极电流：8.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@10V，10.5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：5W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：41nC@4.5V
输入电容：3.95nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：21mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9530PBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：88W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@7.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：19nC@4.5V
输入电容：1.02nF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：39mΩ@4.5V，4.7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
