品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:15.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:6.46A
类型:1个P沟道
导通电阻:155mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:15.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:6.46A
类型:1个P沟道
导通电阻:155mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:17.9W€3.4W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:12A€10.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:20mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:17.9W€3.4W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:12A€10.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:20mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:15.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:6.46A
类型:1个P沟道
导通电阻:155mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:15.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:6.46A
类型:1个P沟道
导通电阻:155mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:15.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:6.46A
类型:1个P沟道
导通电阻:155mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:6.46A
类型:1个P沟道
导通电阻:155mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:705pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个P沟道
导通电阻:42mΩ@10V,3.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:15.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:6.46A
类型:1个P沟道
导通电阻:155mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:17.9W€3.4W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:12A€10.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:20mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:17.9W€3.4W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:12A€10.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:20mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:6.46A
类型:1个P沟道
导通电阻:155mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:6.46A
类型:1个P沟道
导通电阻:155mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:6.46A
类型:1个P沟道
导通电阻:155mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3427AEEV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@30V
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:210nC@10V
输入电容:9.95nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个P沟道
导通电阻:8.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:6.46A
类型:1个P沟道
导通电阻:155mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:15.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:6.46A
类型:1个P沟道
导通电阻:155mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ459EP-T1_GE3
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:60V
阈值电压:2.5V@250μA
输入电容:4.586nF@30V
栅极电荷:108nC@10V
工作温度:-55℃~+175℃
连续漏极电流:52A
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
导通电阻:18mΩ@3.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:550pF@30V
连续漏极电流:2.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:177mΩ@2.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ459EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.586nF@30V
连续漏极电流:52A
类型:1个P沟道
导通电阻:18mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ459EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.586nF@30V
连续漏极电流:52A
类型:1个P沟道
导通电阻:18mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
栅极电荷:210nC@10V
连续漏极电流:50A
阈值电压:2.5V@250μA
漏源电压:40V
工作温度:-55℃~+175℃
导通电阻:8.5mΩ@25A,10V
类型:1个P沟道
输入电容:9.95nF@25V
功率:71W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3427AEEV-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@30V
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:95mΩ@4.5A,10V
类型:P沟道
连续漏极电流:5.3A
栅极电荷:22nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:15.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:6.46A
类型:1个P沟道
导通电阻:155mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM40P10-40L_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:134nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.295nF@25V
连续漏极电流:40A
类型:1个P沟道
导通电阻:40mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS141ELNW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:192W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:141nC@10V
输入电容:7.458nF@25V
连续漏极电流:101A
类型:1个P沟道
导通电阻:10mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS141ELNW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:192W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:141nC@10V
输入电容:7.458nF@25V
连续漏极电流:101A
类型:1个P沟道
导通电阻:10mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS141ELNW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:192W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:141nC@10V
输入电容:7.458nF@25V
连续漏极电流:101A
类型:1个P沟道
导通电阻:10mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: