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    类型
    连续漏极电流
    品牌: VISHAY
    类型: 1个P沟道
    连续漏极电流: 2.3A
    当前匹配商品:3
    商品信息
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2319DS-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2319DS-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:17nC@10V

    输入电容:470pF@20V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:82mΩ@3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2319DS-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2319DS-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:17nC@10V

    输入电容:470pF@20V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:82mΩ@3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2319DS-T1-E3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2319DS-T1-E3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:17nC@10V

    输入电容:470pF@20V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:82mΩ@3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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